本文介紹了芯片鍵合引入的風(fēng)險。

2025/06/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文通過對典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當(dāng)，以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對各種失效模式總結(jié)，闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良，造成鍵合本質(zhì)失效的機(jī)理；并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。

2021/12/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文總結(jié)了銅絲鍵合在實(shí)際應(yīng)用中常見的失效模式和失效機(jī)理。

2020/01/06 更新 分類：檢測案例 分享

本文將使用6西格瑪工具對銅線鍵合芯片進(jìn)行開蓋研究.

2024/12/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了商用芯片鍵合交叉打線判據(jù)。

2025/06/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了反相鍵合相色譜柱過載原因及解決方法。

2021/05/13 更新 分類：科研開發(fā) 分享

先進(jìn)封裝中的混合鍵合技術(shù)：CIS/NAND/DRAM/Logic/Advanced package。

2025/09/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

純銅線無法克服其極易氧化的致命缺陷，導(dǎo)致鍵合工藝容易出現(xiàn)批次波動、可靠性極差。鍍鈀層是解決這一核心問題的關(guān)鍵技術(shù)和必要手段。

2025/06/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享

晶圓對晶圓混合鍵合這一 3D 集成關(guān)鍵技術(shù)，闡述其原理、應(yīng)用現(xiàn)狀、工藝流程與挑戰(zhàn)，還提及 imec 的技術(shù)改進(jìn)及 400nm 間距突破，展望未來趨勢。

2025/09/12 更新 分類：科研開發(fā) 分享

了解固定相常見的鍵合方式及其修飾，有助于掌握各類型色譜柱的使用條件，提高方法開發(fā)效率。

2023/01/19 更新 分類：實(shí)驗(yàn)管理 分享