一、二極管增加RC吸收

二極管的高頻等效電路模型如下圖所示：L代表由引線和二極管內部接點封裝所引起的等效串聯(lián)電感，RS為等效串聯(lián)電阻,CJ則是結電容。

圖1：二極管等效電路

由于二極管的結電容很小，在比較大的分布電感的情況下，諧振電路的特征阻抗很高，造成比較高的諧振電壓，當插入RC吸收電路之后，電容C的值一般取得比較大，電容C的存在減小了整個諧振電路的特征阻抗，也就降低了諧振電壓。

圖2：二極管并聯(lián)RC吸收

Buck續(xù)流二極管增加RC吸收

圖3：續(xù)流二極管并聯(lián)RC吸收

Boos升壓二極管增加RC吸收

圖4：升壓二極管并聯(lián)RC吸收

整流二極管增加RC吸收

圖5：整流二極管并聯(lián)RC吸收

RCD吸收二極管增加RC吸收

圖6：RCD吸收二極管并聯(lián)RC吸收

二、增加阻尼抑制振蕩

根據(jù)LC振蕩的原理，抑制振蕩幅度的主要措施是增加阻尼，使振蕩快速收斂，并降低振幅，增加阻尼的主要措施有增加串聯(lián)電阻、串聯(lián)磁珠。

圖7：RCD吸收二極管使用肖特基二極管時電壓電流波形

RCD吸收二極管環(huán)路增加電阻阻尼振蕩

圖8：RCD吸收二極管串聯(lián)電阻阻尼振蕩時電壓電流波形（肖特基二極管）

在圖7的電路應用相同的條件下，在RCD吸收回路中增加串聯(lián)30ohm電阻時的波形如圖8所示，電壓振蕩幅度明顯降低，振幅收斂變快，改善振蕩效果很明顯。

RCD吸收二極管環(huán)路增加磁珠阻尼振蕩

圖9：RCD吸收二極管串聯(lián)磁珠阻尼振蕩時電壓電流波形（肖特基二極管）

在圖7的電路應用相同的條件下，在RCD吸收回路中增加串聯(lián)6mm磁珠時的波形如圖58所示，電壓振蕩幅度明顯降低，振幅收斂變快，改善振蕩效果很明顯。

三、降低環(huán)路中的寄生電感

改變寄生振蕩可能通過增加環(huán)路阻尼、改變二極管寄生電容、寄生電感的角度來考量，在二極管兩端增加并聯(lián)RC電路本質是改變二極管寄生電容，會使二極管反向恢復時間加長，影響二極管的電應力，同時也會影響二極管的溫升特性。

在二極管環(huán)路中增加阻尼，尤其是串聯(lián)電阻的方式應用場景非常受限，電阻本身溫度也是問題；二極管環(huán)路中增加磁珠，磁珠本身具有電感特性，對于較低頻率的振蕩阻尼并不能完全達到目的，有時按下葫蘆抬起瓢。

降低環(huán)路中的寄生電感，甚至消除環(huán)路中的寄生電感，是消除寄生振蕩的殺手锏之一。環(huán)路中的寄生電感主要來自器件引線的寄生電感、PCB布線的寄生電感，尤其是PCB布線的寄生電感是導致高頻寄生振蕩的主要原因。

縮小PCB布線本身的寄生電感

PCB布線寄生電感大小主要與PCB布線長度、回路布線長度、線寬、過孔有關，降低PCB布線寄生電感降低布線長度，回路面積是非常有效的措施之一；功率信號布線換層過孔、濾波電容的換層過孔、功率信號環(huán)路地線換層過孔的寄生電感，是導致寄生振蕩的主要原因之一，減少功率信號（動點信號）、功率回流地線換層次數(shù)是降低寄生電感的改善措施。

增加高頻旁路電容降低環(huán)路寄生電感的影響

在二極管選型確定后、PCB Layout布線確認后，所有寄生參數(shù)都基本確認，增加高頻旁路電容目的是縮小噪聲的環(huán)路面積，本質上也降低了環(huán)路寄生電感，從而改善寄生振蕩的影響。

圖10：Boost電路二極管輸出增加高頻電容縮小環(huán)路