在EMC整改過程中，RC snubber電路（也稱為RC吸收電路）常用于抑制開關(guān)器件的電壓尖峰和高頻振蕩，進(jìn)而改善電路的電磁兼容性。

2024/08/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

硬件電路設(shè)計(jì)總結(jié)主要包括以下幾個(gè)主要的模塊：電源 模塊，存儲(chǔ)模塊，顯示模塊，和對(duì)外接口模塊。

2024/10/06 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文主要介紹防浪涌電路中的元器件之壓敏電阻以及一些常用的電路。

2024/11/12 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文主要介紹防浪涌電路中的元器件之PTC以及一些常用的電路。

2024/12/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

電子元器件的等效電路對(duì)電路分析非常有用，可以幫助理解該元器件在電路中的工作原理，可以深入了解該元器件的相關(guān)特性。

2025/04/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享

大體而言集成電路產(chǎn)業(yè)可分為三個(gè)階段：電路設(shè)計(jì)，晶圓制造，封裝測(cè)試。電路設(shè)計(jì)大體是一群電路系統(tǒng)畢業(yè)的學(xué)霸搞出來的(因?yàn)閷W(xué)霸，所以高薪)，他們把設(shè)計(jì)好電路給晶圓制造廠(臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際……)，最后圓片從晶圓廠發(fā)貨到封裝測(cè)試廠(日月光、安靠、長(zhǎng)電科技……)。

2021/03/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了MOSFET的擊穿有哪幾種，如何處理mos管小電流發(fā)熱嚴(yán)重情況，MOS管為什么可以防止電源反接及MOS管功率損耗測(cè)量。

2022/05/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文主要介紹這些方面的內(nèi)容，專門聚焦于帶有集成功率 MOSFET 和控制器的轉(zhuǎn)換器解決方案，提供抑制 EMI 的實(shí)例和應(yīng)用指導(dǎo)。

2023/03/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享

通過對(duì)經(jīng)過SMT工藝試驗(yàn)的產(chǎn)品抽樣進(jìn)行超聲掃描，發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品載片區(qū)（PAD）與模塑料之間存在較為嚴(yán)重的離層現(xiàn)象

2024/02/23 更新 分類：檢測(cè)案例 分享

逆變器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）或IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）的選型對(duì)電磁兼容性（EMC）有顯著影響。

2024/06/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享