本文通過FIB的高精度定位切割功能，配合場發射SEM/EDS，綜合分析ITO截面的尺寸和腐蝕產物元素成分，為產品質量提供快捷有效的證據。

　　1.引言

　　失效樣品為手機顯示屏，具體失效位置在前端IC位置，失效現象是ITO出現腐蝕導致顯示異常，如下圖所示，需具體分析失效的原因。

　　圖1.ITO表面缺陷SEM觀察圖

　　2.試驗與結果

　　3.結論

　　根據測試結果，對比OK和正常位置的成分，推斷可能是ITO位置有Mg、K、Ga的鹽類或堿污染，在使用過程中環境中的水分子在濃度梯度作用下滲透進ITO位置，形成導電溶液，在通電情況下形成電化學腐蝕造成的。