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析 ASIC 設計標準單元，說明 6T/9T/12T 高度含義，闡述其布局、性能面積權衡及應用
2025/09/22 更新 分類：科研開發 分享
詳解 IC 設計標準單元庫，含其特點、類型、選擇標準及核心單元，助簡化開發.
與體硅 CMOS 相比，FinFET 器件在抑制短溝道效應、降低能耗、提升電源電壓可擴展性以及提高導通/關斷電流比方面均表現更優。
2025/08/24 更新 分類：科研開發 分享
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