本文介紹了MOSFET并聯使用寄生振蕩原因分析。

2025/02/23 更新 分類：科研開發 分享

本文介紹了功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數特性。

2025/04/22 更新 分類：科研開發 分享

本文介紹了什么是MOSFET的安全工作區。

2025/04/22 更新 分類：科研開發 分享

MOSFET溫度循環后芯片表面開裂失效分析。

2025/07/27 更新 分類：檢測案例 分享

在轎車及卡車的變速箱中同步器是最重要的部件之一。對同步器系統的評價主要體現在同步性能、換檔力以及成本價格這三方面。在同步器系統中，高效的摩擦層將為提高同步器的性能起到了決定性的作用。本文就目前常用的幾種摩擦材料進行了初步的探討。

2017/11/20 更新 分類：實驗管理 分享

有幾種非線性晶體已經被用作產生和探測太赫茲輻射，例如GaAs、GaP、InP、GaSe、LiNbO3和LiTaO3,然而，最常用的晶體是ZnTe（碲化鋅）

2018/09/21 更新 分類：科研開發 分享

本文介紹了MOSFET的米勒平臺與米勒振蕩產生機理。

2025/01/07 更新 分類：科研開發 分享

超結MOSFET除傳統平面MOSFET EMC問題產生原因之外，其反向傳輸電容CRSS電容、輸出COSS電容的非線性是高頻寄生振蕩產生的重要原因，也是導致輻射發射測試不通過的重要因素之一。

2025/02/16 更新 分類：科研開發 分享

本文介紹了MOSFET的失效機理：dV/dt失效和雪崩失效

2022/11/10 更新 分類：科研開發 分享

本文介紹了汽車Si MOSFET與車規級功率器件AEC-Q101認證。

2025/01/10 更新 分類：科研開發 分享