失效分析工作不僅在提高可靠性方面具有很好的效果,而且有很高的經濟效益。雖然失效分析工作不出產品,但是通過失效分析和采取糾正措施可以顯著提高元器件的成品率和可靠性。器件一旦壞了，千萬不要敬而遠之，而應該如獲至寶。
開車的人都知道，哪里最能練出駕駛水平？高速公路不行，只有鬧市和不良路況才能提高水平。社會的發展就是一個發現問題解決問題的過程，出現問題不可怕，但頻繁出現同一類問題是非常可怕的。
減少因元器件失效導致系統試驗和現場使用期間的電子裝備故障。系統試驗和現場使用期間電子裝備發生故障的經濟損失巨大,排除故障的維修費用頗高,并且這種費用隨著可靠性等級的提高而呈指數上升。
失效分析是通過對現場使用失效樣品、可靠性試驗失效樣品或篩選失效樣品的檢測與解剖分析，得出失效模式(形式)和失效機理并準確判斷失效原因，為采取相應的改進措施迅速提高產品的可靠性提供科學依據。
失效分析和失效物理立足于微觀世界,從物理、化學的微觀結構上對元器件進行仔細觀察和分析研究,從外部影響和內部原因兩方面探究元器件不可靠的因素,分析其工作條件、環境應力和時間等因素相互作用對器件發生失效所產生的影響。在分析過程中，可以獲得元器件與相關因素和條件相互作用的豐富信息。因此,失效分析在可靠性設計、材料選擇、工藝制造和使用維護等方面都能為有關人員提供各種有用的科學依據。
失效分析基本概念
定義：對失效電子元器件進行診斷過程。
1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。
2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機理的重復出現。
3、失效模式是指觀察到的失效現象、失效形式，如開路、短路、參數漂移、功能失效等。
4、失效機理是指失效的物理化學過程，如疲勞、腐蝕和過應力等。
失效分析的一般程序對電子元器件失效機理、原因的診斷過程叫失效分析。進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。失效分析的任務是確定失效模式和失效機理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機理的重復出現。因此，失效分析的主要內容包括:明確分析對象，確定失效模式，判斷失效原因，研究失效機理，提出預防措施(包括設計改進)。
1、明確分析對象及失效發生的背景，收集現場場數據
2、電測并確定失效模式
3、非破壞檢查，失效原因判斷
4、打開封裝
5、鏡驗
6、進行失效定位。對失效部位進行物理、化學分析，確定失效機理。
7、綜合分析，確定失效原因，提出糾正措施。
1、明確分析對象及失效發生的背景，收集現場場數據：
失效分析首先是要明確分析對象及失效發生的背景。在對失效樣品進行具體的失效分析操作之前，失效分析人員應該與現場人員進行溝通，了解失效發生時的狀況，確定在設計、生產、檢測、儲存、傳送或使用哪個階段發生的失效，如有可能，要求現場人員詳細描述失效發生時的現象以及失效發生前后的操作過程。對現場人員提交的樣品，需要查找產品手冊，通過外觀檢查、電學檢測以及顯微鏡光學觀察等手段確認失效現象，在條件許可的情況下，盡可能地復現失效。另外經常會出現一些本身是好的元器件，結果由于測試錯誤而誤判為失效，因此需要對提交的失效樣品進行復驗，以明確分析對象確實失效，避免無效的工作。
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應力類型
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試驗方法
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可能出現的主要失效模式
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電應力
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靜電、過電、噪聲
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MOS器件的柵擊穿、雙極型器件的pn結擊穿、功率晶體管的二次擊穿、CMOS電路的閂鎖效應
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熱應力
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高溫儲存
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金屬－半導體接觸的Al－Si互溶，歐姆接觸退化，pn結漏電、Au-Al鍵合失效
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低溫應力
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低溫儲存
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芯片斷裂
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低溫電應力
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低溫工作
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熱載流子注入
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高低溫應力
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高低溫循環
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芯片斷裂、芯片粘接失效
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熱電應力
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高溫工作
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金屬電遷移、歐姆接觸退化
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機械應力
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振動、沖擊、加速度
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芯片斷裂、引線斷裂
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輻射應力
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X射線輻射、中子輻射
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電參數變化、軟錯誤、CMOS電路的閂鎖效應
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氣候應力
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高濕、鹽霧
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外引線腐蝕、金屬化腐蝕、電參數漂移
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器件極限溫度承受能力是高壓線，超過后失效率劇增，使用中不允許超過。在極限溫度以內，器件失效率與溫度仍然強相關，失效率隨著溫度升高而增加。
問題：是否存在一個安全溫度點，只要不超過這個溫度點，失效率與溫度關系就不密切？
答案：理論與實際表明，多數情況下不存在這樣的溫度點。器件的失效率始終與溫度相關，只是高于某個溫度點之后，失效率會急劇上升，出現拐點。
降額設計就是使元器件或產品工作時承受的工作應力適當低于元器件或產品規定的額定值，從而達到降低基本失效率（故障率），提高使用可靠性的目的。20世紀50年代，日本的色摩亮次發現，溫度降低10℃，元器件的失效率可降低一半以上。實踐證明，對元器件的某些參數適當降額使用，就可以大幅度提高元器件的可靠性。因電子產品的可靠性對其電應力和溫度應力比較敏感，故而降額設計技術和熱設計技術對電子產品則顯得尤為重要。
一款流量計的電源前期設計，未采用降額設計，其調整管僅按計算其功耗為0.8W（在常溫20℃～25℃），選用額定功率為1W的晶體管。結果在調試時和在用戶使用中發生故障頻繁。分析其原因主要是該管額定功耗1W時的環境溫度為25℃，而實際工作時該管處于的環境溫度為60℃，此管此時實際最大功耗已達1W。經可靠性工程師分析和建議，選用同參數2W的晶體管，這時降額系數S≌0.5。因而產品的故障很快得到解決。
2、電測并確定失效模式
失效的表面現象或失效的表現形式就是失效模式。失效模式的確定通常采用兩種方法，即電學測試和顯微鏡觀察。根據測試、觀察到的現象與效應進行初步分析，確定出現這些現象的可能原因,或者與失效樣品的哪一部分有關。同時通過立體顯微鏡檢查，觀察失效樣品的外觀標志是否完整，是否存在機械損傷，是否有腐蝕痕跡等;通過電特性測試，判斷其電參數是否與原始數據相符，分析失效現象可能與失效樣品中的哪一部分有關;利用金相顯微鏡和掃描電子顯微鏡等設備觀察失效部位的形狀、大小、位置、顏色，機械和物理結構、物理特性等，準確的描述失效特征模式。
失效模式可以定位到電(如直流特性、漏電)或物理(如裂紋、侵蝕)失效特征根據失效發生時的條件(如老化、靜電放電、環境)，結合先驗知識，區分失效位置，減少診斷失效機理要求的工作量。
電測失效可分為連接性失效、電參數失效和功能失效。
連接性失效包括開路、短路以及電阻值變化。這類失效容易測試，現場失效多數由靜電放電（ESD）和過電應力（EOS）引起。
電參數失效，需進行較復雜的測量，主要表現形式有參數值超出規定范圍（超差）和參數不穩定。
確認功能失效，需對元器件輸入一個已知的激勵信號，測量輸出結果。如測得輸出狀態與預計狀態相同，則元器件功能正常，否則為失效,功能測試主要用于集成電路。
三種失效有一定的相關性,即一種失效可能引起其它種類的失效。功能失效和電參數失效的根源時常可歸結于連接性失效。在缺乏復雜功能測試設備和測試程序的情況下，有可能用簡單的連接性測試和參數測試方法進行電測，結合物理失效分析技術的應用仍然可獲得令人滿意的失效分析結果。
3、非破壞檢查
根據失效模式、失效元器件的材料性質、制造工藝理論和經驗，結合觀察到的相應失效部位的形狀、大小、位置、顏色以及化學組成、物理結構、物理特性等因素，參照失效發生的階段、失效發生時的應力條件和環境條件，提出可能的導致失效的原因。失效可能由一系列的原因造成，如設計缺陷、材料質量問題、制造過程問題、運輸或儲藏條件不當、在操作時的過載等，而大多數的失效包括一系列串行發生的事件。對一個復雜的失效，需要根據失效元器件和失效模式列出所有可能導致失效的原因，確定正確的分析次序，并且指出哪里需要附加的數據來支撐某個潛在性因素。失效分析時根據不同的可能性，逐個分析，最終發現問題的根源。
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名稱
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應用優勢
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主要原理
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X射線透視技術
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以低密度區為背景，觀察材料的高密度區的密度異常點
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透視X光的被樣品局部吸收后成象的異常
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反射式掃描聲學顯微術（C－SAM）
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以高密度區為背景，觀察材料內部空隙或低密度區
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超聲波遇空隙受阻反射
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X-Ray檢測，即為在不破壞芯片情況下，利用X射線透視元器件（多方向及角度可選），檢測元器件的封裝情況，如氣泡、邦定線異常，晶粒尺寸，支架方向等。
適用情境：檢查邦定有無異常、封裝有無缺陷、確認晶粒尺寸及layout
優勢：工期短，直觀易分析
劣勢：獲得信息有限
局限性：
1、相同批次的器件，不同封裝生產線的器件內部形狀略微不同；
2、內部線路損傷或缺陷很難檢查出來，必須通過功能測試及其他試驗獲得。
案例分析：
X-Ray 探傷----氣泡、邦定線
X-Ray 真偽鑒別----空包彈（圖中可見，未有晶粒）
“徒有其表”
下面這個才是貨真價實的
X-Ray用于產地分析（下圖中同品牌同型號的芯片）
X-Ray 用于失效分析（PCB探傷、分析）
（下面這個密密麻麻的圓點就是BGA的錫珠。下圖我們可以看出，這個芯片實際上是BGA二次封裝的）
4、打開封裝
開封方法有機械方法和化學方法兩種,按封裝材料來分類，微電子器件的封裝種類包括玻璃封裝(二極管)、金屬殼封裝、陶瓷封裝、塑料封裝等。
機械開封
化學開封
5、顯微形貌像技術
光學顯微鏡分析技術
掃描電子顯微鏡的二次電子像技術
電壓效應的失效定位技術
6、進行失效定位。對失效部位進行物理、化學分析，確定失效機理。
對于失效機理的研究是非常重要的，需要更多的技術支撐。在確定失效機理時，需要選用有關的分析、試驗和觀測設備對失效樣品進行仔細分析,驗證失效原因的判斷是否屬實,并且能把整個失效的順序與原始的癥狀對照起來.有時需要用合格的同種元器件進行類似的破壞性試驗，觀察是否產生相似的失效現象。通過反復驗證，確定真實的失效原因，以電子元器件失效機理的相關理論為指導，對失效模式、失效原因進行理論推理，并結合材料性質、有關設計和工藝的理論及經驗，提出在可能的失效條件下導致該失效模式產生的內在原因或具體物理化學過程，如有可能更應以分子、原子學觀點加以闡明或解釋。
電應力（EOD）損傷
靜電放電（ESD）損傷
封裝失效
引線鍵合失效
芯片粘接不良
金屬半導體接觸退化
鈉離子沾污失效
氧化層針孔失效
7、綜合分析，確定失效原因，提出糾正措施。
根據分析判斷，提出消除產生失效的辦法和建議，及時地反饋到設計、工藝、使用單位等各個方面，以便控制乃至完全消除失效的主要失效模式的出現失效。這需要失效工程師與可靠性、工藝、設計和測試工程師一起協作，發揮團隊力量，根據失效分析結果，提出防止產生失效的設想和建議，包括材料、工藝、電路設計、結構設計、篩選方法和條件、使用方法和條件、質量控制和管理等方面。
