在芯片設計領域，CMOS反相器作為基礎且關鍵的電路單元，其工作原理早已被廣泛探討與熟知。此前，我曾撰寫過一篇名為《芯片設計--反相器》的文章，深入剖析了反相器的工作原理，為眾多讀者揭開了其神秘的面紗。然而，理論與實踐之間往往存在著一定的距離。對于那些致力于芯片逆向工程的工程師和技術人員來說，能夠迅速且準確地從復雜的芯片實物結構中識別出CMOS反相器，是一項極為重要的技能。

今天，我將以一個實際的CMOS反相器實物為例，從逆向的角度出發，為大家簡單介紹其在芯片中的具體呈現形式。通過這一過程，希望能夠幫助各位讀者在后續的逆向工程實踐中，快速而準確地判斷出CMOS反相器，從而為深入分析芯片的整體架構和功能奠定堅實的基礎。

在芯片的微觀世界中，CMOS反相器通常由一個P型MOSFET和一個N型MOSFET組成。這兩個晶體管的源極和漏極分別相連，形成一個互補對稱的結構。當輸入信號為低電平時，N型MOSFET處于關閉狀態，而P型MOSFET則導通，電流從電源流向輸出端，使得輸出端呈現高電平；反之，當輸入信號為高電平時，P型MOSFET關閉，N型MOSFET導通，電流從輸出端流向地，輸出端呈現低電平。這種互補的工作方式使得CMOS反相器具有低功耗、高噪聲容限以及快速開關速度等優點，廣泛應用于各種數字電路中。

如下是今天供分析的CMOS反相器實物圖，我們進行了簡單的標注，并對芯片進行了去層以便各位讀者更好的理解。

TOP層：可見4個MOS，一個NMOS和一個PMOS組成一個反相器，PMOS通常尺寸比NMOS大，以補償其較低的載流子遷移率，實現平衡驅動。

去除頂層金屬，可以更加清晰地看清楚NMOS和PMOS形貌及連線：MOS管采用多指交錯結構，柵極（G）位于源極（S）和漏極（D）之間。這種設計能有效增加晶體管寬度，提升電流驅動能力。

功能分析

通過對晶體管連接的細致追蹤，我們確認圖像中是兩個獨立的CMOS反相器。以左側單元為例：

1、NMOS晶體管：柵極接輸入信號（In），源極接地（GND），漏極接PMOS漏極。

2、PMOS晶體管：柵極同樣接（In），源極接電源（VDD），漏極接NMOS漏極。

總結：NMOS和PMOS的柵極共用輸入，源極分別接GND和VDD，漏極相連形成輸出。這正是標準CMOS反相器的典型配置，其功能是將輸入信號進行邏輯反轉。右側單元結構與左側完全一致，亦為獨立反相器。

附錄：反相器vs傳輸門對比

 以前上學時經常把反相器和傳輸門搞混，今天簡單的比較一下兩者的區別。

區分要點：

1、柵極連接：反相器柵極共用輸入；傳輸門柵極接互補控制信號。

2、源漏極連接：反相器串聯，輸出在中間；傳輸門并聯，信號直通。

3、高阻態：傳輸門獨有，反相器無此狀態。