近日，清華大學化學系許華平教授團隊在極紫外（EUV）光刻材料上取得重要進展，開發出一種基于聚碲氧烷（Polytelluoxane,PTeO）的新型光刻膠，為先進半導體制造中的關鍵材料提供了新的設計策略。

2025/07/25 更新 分類：科研開發 分享

由imec和ASML組成的imec-ASML 聯合High NA實驗室在開發圖案化和蝕刻工藝、篩選新的光刻膠和底層材料、改進計量和光掩模技術方面取得了進展。

2022/05/12 更新 分類：科研開發 分享

本文主要介紹了光刻膠材料于技術研究進展和光刻膠主要生產國家和地區概況

2021/07/09 更新 分類：行業研究 分享

光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。

2020/10/28 更新 分類：科研開發 分享

當然，在當前國際政治地緣下，中國半導體產業也面臨著原材料供應鏈的不穩定性和價格上漲的風險。未來，中國光刻膠國產化之路，既面臨較高的技術門檻，又有國產化帶來的機遇。

2023/12/12 更新 分類：行業研究 分享

本文回顧了不同光刻膠體系的基本組分、作用原理與技術特點，在此基礎上分析了下一代光刻技術，特別是大分子自組裝和極紫外光刻的技術特點及其對相關材料的挑戰。

2020/07/06 更新 分類：科研開發 分享

近日，日本半導體行業正在迎來一個重要的里程碑，Rapidus公司成為日本首家獲得極紫外(EUV)光刻設備的半導體公司。

2024/12/23 更新 分類：科研開發 分享

清華大學和浙江大學合作展示了一種極其靈敏的氧化鋯雜化-(2,4-雙(三氯甲基)6-(4-甲氧基苯乙烯基)-1,3,5-三嗪)(ZrO2-BTMST)光刻膠系統，可以實現7.77 m s–1的印刷速度，比傳統聚合物光刻膠快三到五個數量級。

2023/10/03 更新 分類：科研開發 分享

華中科技大學研發的T150A光刻膠系列產品已通過半導體工藝量產驗證，實現了原材料全部國產配方全自主設計，有望開創國內半導體光刻制造新局面

2024/11/30 更新 分類：科研開發 分享

本文討論了一種具有簡化照明系統的簡單、低成本、高效率的雙鏡片物鏡系統。

2024/08/05 更新 分類：科研開發 分享