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光耦合器,選擇車規(guī)級(jí)光電器件AEC-Q102認(rèn)證還是功率器件AEC-Q101認(rèn)證?

嘉峪檢測(cè)網(wǎng)        2025-01-10 19:35

光耦合器簡(jiǎn)介

 

光耦合器(Optocoupler, OC),電子領(lǐng)域中一種利用光信號(hào)進(jìn)行電-光-電轉(zhuǎn)換的隔離器件,通常包含一個(gè)發(fā)光二極管(LED)作為光源和光敏半導(dǎo)體器件作為接收器。

 

光耦合器以其小巧的體積、出色的電氣隔離和強(qiáng)大的抗干擾能力,在多種電子應(yīng)用中占據(jù)了重要位置。尤其在汽車電子系統(tǒng)中,光耦合器的使用日益增多,因此它們必須滿足汽車行業(yè)的嚴(yán)苛可靠性標(biāo)準(zhǔn),才能被用于汽車制造。這要求車用光耦合器必須通過AEC-Q系列標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。

光耦電路示意圖 (注:下文光敏半導(dǎo)體管均指受光端的組件。)

 

光耦合器的汽車行業(yè)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

 

2013年版的AEC-Q101包含了正反向工作試驗(yàn),適用于光電子器件。2017年,AEC-Q102發(fā)布,為光器件提供了認(rèn)證依據(jù)。2020年,AEC-Q102-A版發(fā)布,指出光耦等光組件將在AEC-Q102-003中進(jìn)一步細(xì)分。2021年,AEC-Q101更新至E版,去除了光類器件的描述和相關(guān)環(huán)境應(yīng)力及壽命試驗(yàn)。

 

2022年底,AEC-Q102-003發(fā)布,正式將光耦合器列為OE-MCM類型之一,確認(rèn)了光耦合器的車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)為AEC-Q102-003。

 

 

 

AEC-Q102-003適用OE-MCM中的分類B(來源:AEC - Q102-003 – REV August 28, 2022)    

 

 

 AEC-Q101和AEC-Q102中關(guān)于“光”的描述

 

AEC-Q101與AEC-Q102的對(duì)比分析

類型 AEC-Q101 AEC-Q102
適用對(duì)象 對(duì)象:車用分立半導(dǎo)體元器件
晶體管:BJT、MOSFET、IGBT
二極管:Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors
光器件:LEDs、Optocoupler、Photodiodes、Phototransistors
對(duì)象:車用分立光電半導(dǎo)體元器件       
Light Emitting Diodes、Laser Components、Photodiodes、Phototransistors
樣本量 環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn):3lot×77pcs/lot
LTPD(Lot Tolerance Percent Defective) = 1, 90%置信度的失效率為1%
環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn):3lot×26pcs/lot
LTPD (Lot Tolerance Percent Defective) = 3, 90%置信度的失效率為3%
失效判據(jù) 不符合規(guī)格書規(guī)定的電學(xué)和光學(xué)參數(shù)范圍
環(huán)境試驗(yàn)前后參數(shù)值變化未保持在±20%以內(nèi);漏電未保持在5倍初始值以內(nèi)(對(duì)于濕氣試驗(yàn)為10倍)
由于環(huán)境試驗(yàn)出現(xiàn)物理?yè)p壞
如果失效原因被供應(yīng)商和用戶認(rèn)為是由于處理不當(dāng)或ESD的原因引起,這些失效可以被忽略,但應(yīng)呈現(xiàn)在報(bào)告中
不符合規(guī)格書規(guī)定的電學(xué)和光學(xué)參數(shù)范圍
環(huán)境試驗(yàn)前后參數(shù)值變化未保持在附錄5規(guī)定的±x%以內(nèi)
由于環(huán)境試驗(yàn)出現(xiàn)物理?yè)p壞(遷移、腐蝕、機(jī)械破壞、分層等);有些物理?yè)p壞可能由供應(yīng)商和用戶同意認(rèn)為僅僅是外觀不良而不影響認(rèn)證結(jié)果;
如果失效原因被供應(yīng)商和用戶認(rèn)為是由于處理不當(dāng)、測(cè)試板連接、ESD或其它跟測(cè)試條件無關(guān)的原因引起,這些失效可以被忽略,但應(yīng)呈現(xiàn)在報(bào)告中
應(yīng)力前后參數(shù)測(cè)試    
高溫工作 施加最大偏置 5a HTOL1:最高允許工作溫度條件下施加一定的驅(qū)動(dòng)電流使得結(jié)溫達(dá)到最高允許值
5b HTOL2:為最大驅(qū)動(dòng)電流條件下選擇工作溫度使得結(jié)溫達(dá)到最高允許值
無需降額時(shí),5a=5b
溫度循環(huán) 低溫-55℃,高溫為最高結(jié)溫(不超過150℃) 低溫-40℃,高溫根據(jù)焊點(diǎn)溫度調(diào)整
高溫高濕 Ta=85℃/85%RH,器件施加額定正向偏置 6a WHTOL1:雙85條件下施加一定的驅(qū)動(dòng)電流使得結(jié)溫達(dá)到最高允許值,30min開/30min關(guān)
6b WHTOL2:雙85條件下施加最小驅(qū)動(dòng)電流、如無最小電流則施加不使結(jié)溫超3K的驅(qū)動(dòng)電流
功率溫度循環(huán) 溫升≥100℃ 低溫-40℃,高溫根據(jù)焊點(diǎn)溫度來定
DPA 從完成H3TRB或HAST、TC試驗(yàn)的樣品中,每項(xiàng)隨機(jī)抽取2個(gè)樣品 完成功率溫度循環(huán)(PTC)/間歇工作壽命(IOL)、高溫高濕工作(WHTOL1、WHTOL2)/高溫高濕反偏(H3TRB)、硫化氫腐蝕(H2S)、混合氣體腐蝕(FMG)試驗(yàn)的樣品中隨機(jī)抽取2只/批
熱阻 JESD24-3(MOS),JESD24-4(BJT),JESD24-6(IGBT) JESD51-50、JESD51-51、JESD51-52,針對(duì)LED

 

AEC-Q102與AEC-Q101的異同

 

1.適用對(duì)象

 

AEC-Q101:針對(duì)車用分立半導(dǎo)體元器件,如晶體管、二極管和光器件。

 

AEC-Q102:專注于車用分立光電半導(dǎo)體元器件,如發(fā)光二極管、激光組件、光電二極管、光電晶體管。

 

2.樣本量與環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)

 

AEC-Q101:要求3批,每批77件,LTPD(批量容差百分比缺陷)為1%,90%置信度的失效率為1%。

 

AEC-Q102:要求3批,每批26件,LTPD為3%,90%置信度的失效率為3%。

 

3.失效判據(jù)

 

AEC-Q101與AEC-Q102均規(guī)定,若器件的電學(xué)和光學(xué)參數(shù)不符合規(guī)格書規(guī)定,或環(huán)境試驗(yàn)前后參數(shù)值變化超出規(guī)定百分比,或因環(huán)境試驗(yàn)出現(xiàn)物理?yè)p壞,則視為失效。

 

4.環(huán)境應(yīng)力與壽命試驗(yàn)

 

AEC-Q101與AEC-Q102均包含高溫工作(HTOL)、溫度循環(huán)(TC)、功率溫度循環(huán)(WHTOL)等試驗(yàn)項(xiàng)目。

 

5.AEC-Q102新增項(xiàng)目

 

AEC-Q102相較于AEC-Q101,新增了振動(dòng)、沖擊、VVF變頻振動(dòng)試驗(yàn)、MS機(jī)械沖擊、脈沖工作壽命(PLT)、凝露(DEW)、H2S硫化氫腐蝕、FMG混合氣體腐蝕等項(xiàng)目。

 

AEC-Q102較AEC-Q101增加的項(xiàng)目

 

1.振動(dòng)、沖擊

 

VVF變頻振動(dòng)試驗(yàn),試驗(yàn)條件:在20~100Hz頻率范圍內(nèi),位移幅值(峰-峰值)1.5mm;在100Hz~2kHz頻率范圍內(nèi),加速度200m/s2。

 

MS機(jī)械沖擊,試驗(yàn)條件:X、Y、Z三個(gè)垂直軸的六個(gè)方向上各施加5次沖擊(共30次),半正弦脈沖,持續(xù)時(shí)間0.5ms,峰值加速度1500g's

 

2.脈沖工作壽命PLT

 

脈寬100 μs,占空比3%

 

3.凝露DEW

 

溫度循環(huán)范圍為30~65℃,在65℃保持4~8 h,轉(zhuǎn)換時(shí)間為2~4 h,RH=90~98%

 

以規(guī)格書中的最小驅(qū)動(dòng)電流保持1008 h。若規(guī)格書中未定義額定最小電流,可選定一個(gè)驅(qū)動(dòng)電流,其值不能使Tjunction的溫度上升幅度超過3K。

 

4.硫化氫和混合氣體腐蝕

 

H2S硫化氫腐蝕:在溫度40℃和濕度90%RH的條件下保持336小時(shí),H2S的濃度為15×10-6

 

FMG混合氣體腐蝕:在溫度25℃和濕度75%RH條件下保持500小時(shí),氣體濃度如下:H2S濃度:10×10-9;SO2濃度:200×10-9;NO2濃度:200×10-9;Cl2濃度:10×10-9

 

AEC-Q102與AEC-Q101有哪些相同點(diǎn)

 

只有通過AEC-Q規(guī)定相應(yīng)的全部測(cè)試項(xiàng)目,才能聲稱該產(chǎn)品通過了AEC-Q認(rèn)證;

 

供應(yīng)商經(jīng)用戶同意可以使得樣本量和測(cè)試條件低于AEC-Q要求,但這種情況不能認(rèn)為通過AEC-Q認(rèn)證;

 

對(duì)于ESD,允許供應(yīng)商聲稱該產(chǎn)品通過相應(yīng)等級(jí)的AEC-Q,如“AEC-Q102 qualified to ESD H1B”;

 

通用數(shù)據(jù):為簡(jiǎn)化認(rèn)證和重新認(rèn)證的過程,鼓勵(lì)使用通用數(shù)據(jù);通用數(shù)據(jù)必須基于相同工藝、材料、地點(diǎn)等;PV和ESD必須實(shí)測(cè),不能使用通用數(shù)據(jù);用戶具有是否接受通用數(shù)據(jù)替代特定實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)的最終決定權(quán)。

 

優(yōu)先級(jí)要求:當(dāng)文件要求有沖突時(shí),遵循下述順序:采購(gòu)訂單》特別商定的產(chǎn)品要求》AEC-Q要求》AEC-Q引用的參考標(biāo)準(zhǔn)要求》供應(yīng)商的產(chǎn)品規(guī)格書

 

所有認(rèn)證樣品需從生產(chǎn)基地(批產(chǎn)地)加工制造

 

任何器件的改變影響到或可能影響到器件的構(gòu)成、安裝、功能、質(zhì)量和可靠性時(shí),要進(jìn)行重新認(rèn)證

 

對(duì)于每一次認(rèn)證,供應(yīng)商都必須向用戶提供設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)和認(rèn)證的證書(CDCQ)

 

AEC-Q102與AEC-Q101需執(zhí)行的相同項(xiàng)目

 

•預(yù)處理

•外觀檢查

•參數(shù)驗(yàn)證

•ESD

•物理尺寸檢查

•端子強(qiáng)度

•耐焊接熱

•可焊性

•綁線拉力

•焊點(diǎn)推力

•芯片剪切力

•無鉛要求

 

總結(jié)

 

AEC-Q102與AEC-Q101雖然在某些要求上相同,但AEC-Q102針對(duì)光耦合器等光電子器件提供了更詳細(xì)的認(rèn)證指導(dǎo),包括新增的振動(dòng)、沖擊等試驗(yàn)項(xiàng)目。選擇正確的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于確保光耦合器產(chǎn)品的高可靠性至關(guān)重要。

 

 

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來源:Internet

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