MOS管靜態(tài)參數(shù)指標(biāo)包含：漏-源擊穿電壓V(BR)DSS、開(kāi)啟電壓VTH、漏-源飽和漏電流IDSS、柵-源驅(qū)動(dòng)電流或反向電流IGSS、導(dǎo)通電阻RDS(on)、柵源擊穿電壓VGS。

漏源擊穿電壓V(BR)DSS

漏源擊穿電壓是指柵源電壓為VGS為0時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS,且具有正溫度特性，應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮，是極限參數(shù)。

開(kāi)啟電壓VGS(TH)

當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓VGS超過(guò)VGS(TH)時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道，應(yīng)用中常將漏極短接條件下ID等于1mA時(shí)的柵極電壓稱為開(kāi)啟電壓，會(huì)隨溫度上升而降低。

導(dǎo)通電阻RDS(on)

MOS管導(dǎo)通時(shí)，其漏極與源極之間所有的電阻總和。主要構(gòu)成部分如下圖所示：

圖1：導(dǎo)通電阻RDSON等效電路

RDSON詳細(xì)構(gòu)成

RN+:源極N+擴(kuò)散區(qū)中的電阻，占很小，高壓中可忽略；RCH:溝道區(qū)域，隨溝道寬度長(zhǎng)度之比、柵極氧化層厚度和柵極電壓的變化而不同，低壓MOS中占比最大。    

RA:VGS建立時(shí)電荷開(kāi)始聚集在N-的外延層，并在溝道和JFET區(qū)間形成-電流。在此聚集區(qū)域的電阻即為RA。電阻值隨著聚集區(qū)電荷量和表面自由載流子的遷移率的變化而不同。并且如果柵極電極減小的話，就相當(dāng)于減小了聚集區(qū)的長(zhǎng)度，故RA會(huì)隨著RJ的增大而減小。

RJ:在P型區(qū)間的N-外延層當(dāng)中的電阻；RD:在P區(qū)與襯底間的電阻，高壓MOS中的占比最大；RS:襯底區(qū)的電阻，高壓可忽略，50V的MOS管中有相當(dāng)大的影響。另外，RDSON會(huì)隨著漏極-源極的金屬材質(zhì)、N+半導(dǎo)體區(qū)域、器件封裝的不同而有著非理想的變化。

RDSON的溫度特性

圖2：RDSON負(fù)溫度特性曲線

25℃和175℃兩條傳輸特性曲線有一個(gè)交點(diǎn)，此交點(diǎn)的VG稱為轉(zhuǎn)折電壓（又稱零溫度系數(shù)點(diǎn)，約VGS=5.5V）,轉(zhuǎn)折電壓略為大于VTH電壓，在轉(zhuǎn)折電壓的左下部分曲線VGS電壓一定時(shí)，溫度越高，所流過(guò)的電流越大，也就是RDSON越小，這個(gè)區(qū)域?yàn)樨?fù)溫度系數(shù)區(qū)域。

負(fù)溫度特性存在于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換的瞬態(tài)過(guò)程中，功率MOS管的內(nèi)部由許多小的MOS晶胞并聯(lián)組成。所有單元的G極和S極由內(nèi)部金屬導(dǎo)體連接匯集在晶元的某一位置，然后由導(dǎo)線引出的管腳。這樣離匯集點(diǎn)越遠(yuǎn)的單元，G極的等效串聯(lián)電阻就越大，離柵極管腳距離近的晶胞單元VGS大，流過(guò)的電流大，溫度高，RDSON變小，電流更大，形成正反饋。若此區(qū)域停留時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，局部晶胞可能會(huì)出現(xiàn)過(guò)熱擊穿的情況，容易出現(xiàn)局部熱點(diǎn)損壞。    

圖3：RDSON正溫度特性曲線

在轉(zhuǎn)折電壓的右上部分曲線，VGS電壓一定時(shí)，溫度越高，所流過(guò)的電流越小，也就是RDSON越大，此時(shí)流過(guò)的電流就越小，這個(gè)區(qū)域?yàn)檎郎囟认禂?shù)區(qū)域，功率MOS管內(nèi)的晶胞單元會(huì)自動(dòng)均流。

【重要知識(shí)點(diǎn)】

正溫度系數(shù)的RDSON，使得能夠抑制局部溫升，消除器件的局部熱點(diǎn)，使器件溫度趨于均勻，從而使MOS管的安全工作區(qū)SQA遠(yuǎn)大于三極管的安全工作區(qū)，也是MOS管可以用于并聯(lián)使用的主要原因之一。

沒(méi)有三極管的二次擊穿現(xiàn)象（元胞自動(dòng)均流的結(jié)果），導(dǎo)致高溫下功耗加大，同時(shí)使散熱設(shè)計(jì)變得復(fù)雜。

飽和漏源電流（IDSS）

在漏-源間加上V(BR)DSS和在125℃環(huán)境溫度時(shí)80% V(BR)DSS，G-S極短接下測(cè)得；正溫度系數(shù)，且其對(duì)溫度的敏感性比V(BR)DSS要大得多，測(cè)量方法如下圖所示：    

圖4：MOS管漏-源漏電流IDSS測(cè)量方法

柵-源驅(qū)動(dòng)電流（IGSS）

在柵極與源極之間加上最大VGS耐壓時(shí)的電流，有正反向；由柵極氧化物的質(zhì)量和器件尺寸所決定，測(cè)量方法如下圖所示：

圖5：MOS管柵-源驅(qū)動(dòng)電流IGSS測(cè)量方法

柵-源擊穿電壓（VGS）

在柵極與源極之間最大工作的正向偏置電壓和負(fù)壓；主要受柵極氧化層的厚度所決定；VGS有±20V和±30V兩種；VGS是極限，超過(guò)這個(gè)電壓值，即使在極短的時(shí)間內(nèi)也會(huì)對(duì)柵極氧化層產(chǎn)生永久性損害，ESD是造成柵極失效的主要原因，須盡量避免。