GJB4027《軍用電子元器件破壞性物理分析方法》本標準規定了軍用電子元器件破壞性物理分析(DPA)的通用方法，包括DPA程序的一般要求、管理要求以及典型電子元器件DPA試驗與分析的詳細要求和缺陷判據。標準適用于有DPA要求的軍用電子元器件。
起草單位的變化
GJB4027A-2006的起草單位：信息產業部電子第四研究所、信息產業部電子第五研究所、北京航空航天大學、航天科技集團公司第一研究院物流中心、航天科技集團公司第五研究院元器件可靠性中心、西安電子科技大學。
GJB4027B-2021的起草單位：工業和信息花部電子第四研究院，工業和信息化部電子第五研究所，北京航空航天大學，中國航天科技集團有限公司第一研究院物流心，中國航天科技集團有限公司第五研究院元器件可靠性中心。
標準的主要內容變化
GJB4027A-2006與GJB4027-2000相比主要變化如下：
（1）本標準在第5 章中增加了專用射頻元件，熔斷器，加熱器三個大項。同時在光電器件、電連接器、線圈和變壓器、石英晶體和壓電元件和集成電路門類中增加了光電混合集成電路、電連接器接觸件、印刷片式電感器、晶體振蕩器和塑封半導體集成電路子門類。此外，將半導體分立器件的“無鍵合引線二極管”、“晶體管和有鍵合引線二極管”兩類改為“無鍵合引線軸向引線玻璃外殼和玻璃鈍化封裝二極管”、“無鍵合引線螺安裝和軸向引線金屬外殼二極管”、“表面安裝和外引線同向引出晶體管、二極管”共三類。
（2）將GJB4027-2000《軍用電子元器件破壞性物理分方法》中的1.3條應用指南調整到本標準的4.6條，對標準的引用、剪裁提供了指導。
（3）對引用的通用規范版本進行了更新。
（4）對標準中的相關技術內容進行了修訂。
GJB4027B-2021與GJB4027A-2006相比主要變化如下：
（1）在半導體分立器件、集成電路和熔斷器門類中增加了有鍵合絲塑封半導體分立器件、倒裝焊半導體集成電路和膜式表面安裝型熔斷器子門類。
（2）在每個工作項目程序的外部目檢后增加封裝表面鍍涂材料分析，在每個工作項目的檢查程序最后增加結構基線(適用時)。
（3）增加附錄 A，將GB4027A-2006中4.2.7的DPA數據記錄中DPA報告摘要表、DPA項目結果匯總表和DPA 試驗記錄表調整至附錄A。增加附錄B，封裝表面鍍涂材料分析方法。
（4）將“無鍵合絲玻璃外殼、玻璃鈍化二極管”改為“無鍵合絲玻璃外殼、玻璃鈍化和塑料封裝二極管”。
工作項目的變化
（1）GJB4027-2000包括13大類37小類
（2）GJB4027A-2006包括16大類49小類
（3）GJB4027B-2021包括16大類52小類
封裝表面鍍涂材料分析要求
GJB4027B-2021附錄B規定了對元器件內部和外部的封裝材料進行禁用材料分析的詳細要求。分析的目的是驗證合金和鍍層至少含有 3%(重量百分比)的鉛，和鋅表面鍍覆及和鋅合金的電鍍層是否能夠防止鋅升華。附錄B給出了兩種分析方法：X射線熒光光譜法（XRF）、掃描電鏡能譜分析法（SEM-EDS），規定了設備測量鉛錫合金和電鍍層中鉛含量的儀器、技術、判據和標準。
一點體會
（1）GJB4027B-2021標準中部分試驗和方法標準未引用最新發布的版本，如引用的GJB548還是2005年的B版，未引用同樣是2021年發布的C版，新舊版本標準在判據或程序等方面的差異，在試驗執行過程中可能會產生爭議。
（2）增加了塑封半導體分立器件工作項目，開展塑封半導體分立器件DPA有了依據。
（3）增加了倒裝焊半導體集成電路工作項目，開展倒裝焊半導體集成電路DPA有了依據。
（4）密封半導體集成電路、塑封半導體集成電路和倒裝焊半導體集成電路在外部目檢中對引出端增加了焊球/焊柱的檢查，終于跟上了集成電路發展趨勢。
資料參考：GJB4027-2000、GJB4027A-2006、GJB4027B-2021
