根據JB/T4008-1999 標準規定了以液浸及其他液體耦合方式對被檢物進行超聲縱波直射探傷時應遵守的一般規則。 

以液浸式超聲脈沖回波法進行縱波直射探傷時，通常采用能在液體(一般為水）中工作的單晶片探 頭作為發射和接收高頻超聲波脈沖的換能器。通過液體介質，探頭將超聲波垂直地射入被檢物。

當材料內部有反射體(包括缺陷及其他能反射超聲波的物體)時，超聲能童便從該處反射回來，被探頭接收， 轉變為電脈沖信號，經電子儀器放大后在熒光屏上以脈沖波形式顯示出來。

根據超聲回波的有無、回波 的幅度及出現回波的范圍，可判斷反射體的有無、深度位置和大小。根據底波減弱的幅度也可判斷缺陷 和材質衰減情況。

(注：脈沖回波法只能探測出能將超聲能量反射至探頭的那部分反射體或缺陷的面積。因此某些情況下，被檢物內部雖有--較大缺陷，怛其主要缺陷平面并不與超聲波束垂直，反射@就很低，因而不能準確判定其真實尺寸。)

從事探傷的技術人員和操作者應具有必要的業務知識，并有有關部門頒發的相應資格證書。

液浸式超聲探傷系統:包括超聲探傷儀、高頻電纜、液浸式探頭、探頭操縱器和液浸設備等。其要求 分述如下：

a.超聲探傷儀

采用A型顯示方式。探傷者應按有關標準測試其垂直線性及動態范圍、時基線性、靈敏度余量等 性能。

b.髙頻電纜

和探頭或探頭導管聯接的高頻電纜應有密封墊圈或其他措施，保證探頭和探傷儀能正常工作而不 受水或其他耦合介質的影響。

c.水浸式探頭

通常采用單晶片探頭也可采用雙晶片探頭。單晶片探頭通常是平面的，也可裝有球面或柱面的 聚焦透鏡。所有液浸式探頭都應能長期與水或其他液體接觸而保持其穩定的電學和聲學特性。

d.探頭操縱器

包括裝探頭導管的夾持器，能調節探頭的入射角度，也可裝上準直器來修改聲束的形狀。探頭操縱 器各部分應有合適的配合公差。

e.液浸設備

包括液槽和探頭橋架，能穩定地裝設探頭操縱器并將其按預定程序和距離，使探頭對準被檢物進行 掃查.也可采用局部水浸式或溢流方式的裝置使探頭移動或被檢物移動進行掃査。探頭橋架各部分和其他周部液浸裝置的機械結構都應有合適的配合公差。

用于調整探傷系統的靈敏度或比較缺陷的大小，一般采用與被檢驗材料聲學性能和表面狀態相同 或類似的材料制成。

采用對比試塊確定探傷靈敏度時，應使試塊中人工缺陷的信號幅度至少應比噪聲幅度高25%，且其幅度應在滿屏高度25%至75%之間，也可采用被檢物無明顯噪聲區域內第一個底面回波或多個底面 回波的高度來確定探傷靈敏度。

探傷靈敏度應定期進行復驗，被檢物聲學性能與對比試塊有顯著差別 時探傷靈敏度應進行修正。

修正方法是將表面粗糙度和厚度都與被檢物相似的對比試塊的第一次底面 回波或多次底靣回波圖形與被檢物的圖形進行比較。

被檢物底面回波的幅度或多次底面回波次數減少，都表示材料衰減系數增大。此時，應對材料聲學性能的差異進行修正。

耦合液距離，一般應至少為被檢物厚度的1/3,這樣就能保證超聲脈沖進人被檢物表面時第二次水 層反射波處于被檢物第一次底面回波之后，因而不會干擾探傷波形的判別。在使用對比試塊判定缺陷 大小時也應采用同樣的液層距離。在采用薄水層耦合法作板材或其他平面材料探傷時，應調整水層厚 度，使底面回波的幅度或次數達到最大。

探傷面應平整，不應有松散的氧化皮、焊接飛戮和附著的異物。但均勻附著的氧化層可不去除。

液浸式探頭有聚焦和不聚焦兩種，聚焦探頭主要有線聚焦式和點聚焦式。

線聚焦探頭適用于探測長條形缺陷。點聚焦探頭適于發現點狀的小缺陷，以及測定管道和容器內表面腐蝕坑深度和分布情況。

選擇探頭頻率時應考慮被檢物厚度、需檢測的最小缺陷和材料衰減系數等因素。

掃查可采用機械或手工方式進行。

采用機械掃査時，探頭一般安裝在探頭導管末端，探頭導管則夾 持在操縱器上，通過探頭橋架，或某種機械裝置和相應的電子控制系統，使探頭在一定的路徑上對被探 傷表面進行掃查，有時也可使被檢物對探頭作相對運動，進行掃査。

采用手工掃査時，應采用適當的工 具如塑料異管或某種形式的探頭支架使探頭和被檢物的幾何位置在掃查時保持穩定。

掃査可以是連續的或間歇的，應在規定的探傷表面上進行。

當進行連續掃査時，應保證在需要的探 傷靈敏度和探傷距離下，達到對探傷面的100%覆蓋率。

選擇掃査速度時，應保證在此速度下能探出規 定的反射體，同時能使記錄和標記等裝置正常工作。

發現缺陷回波后，通常可用聲學特性相似的對比試塊或根據事先測定的距離-幅度曲線確定缺陷 的3量大小。

在條件許可時，應在發現缺陷回波后調整探頭角度，使回波幅度達到最大，然后進行評定的當用手 工或非固定式探頭操縱器時，應盡量地保持液層距離不變。

發現第一次底波幅度或多次底波幅度和數量明顯減低時應按要求加以記錄，并測定其范圍。

a)有關被檢物的種類、尺寸、編號、熱處理狀態、表面狀況、探傷面部位以及采用的標準。

b)探傷條件包括探傷儀型號，液浸探頭的晶片尺寸，頻率及聚焦透鏡參數，對比試塊及探傷靈敏度 調整方法，液槽和有關設備以及掃查方法等。

c）探傷結果包括表示探傷面和缺陷位置、大小的工件草圖，并注明超過規定程度的底波衰減情況。 

d)探傷技術人員及操作者姓名和探傷日期等。