【摘要】掃描電鏡通常使用10KV~30KV加速電壓工作，可獲得優質圖像；微區成分分析也能提供可靠的定性定量結果。然而對于某些熱敏或者導電性能差的樣品，如：半導體和器件、合成纖維、濺射或氧化薄膜、紙張、動植物組織、高分子材料等，有時不允許進行導電處理，而要求直接觀察。即可選用低電壓成像技術，選用1~5KV或更低的加速電壓進行成像。
在做掃描電子顯微鏡（SEM）測試時，工作人員在與很多同學溝通中了解到，好多同學對SEM測試不太了解，針對此，對網上海量知識進行整理，希望可以幫助到科研圈的伙伴們。
低電壓成像
掃描電鏡通常使用10KV~30KV加速電壓工作，可獲得優質圖像；微區成分分析也能提供可靠的定性定量結果。然而對于某些熱敏或者導電性能差的樣品，如：半導體和器件、合成纖維、濺射或氧化薄膜、紙張、動植物組織、高分子材料等，有時不允許進行導電處理，而要求直接觀察。即可選用低電壓成像技術，選用1~5KV或更低的加速電壓進行成像。
優點
1.增強樣品表面形貌和成分襯度
選用低加速電壓，即意味著使用低能電子束，入射樣品后受到散射的擴散區域小，相互作用區接近表面，有利于表面形貌成像。常規加速電壓觀察半導體或絕緣體時，樣品必須鍍導電膜，這時形貌襯度是唯一的成像襯度，膜層完全掩蓋了樣品不同元素出射電子產率的變化，不能觀察到樣品的成分襯度。選用低能電子束，樣品不用鍍膜，可直接觀察樣品的形貌和成分襯度，充分反映出材料的原貌。
2.減少或消除樣品的核電效應
3.減小電子束輻照損傷
缺點
空間電荷效應、電了光學系統像差、雜散磁場的影響使圖像分辨率低，質量下降。
某些非導電材料的合適低加速電壓值。
低真空成像
對于某些導電性差的材料，如半導體、集成電路、印制板、電腦零件、紙張、纖維、或者含水的動植物樣品，要求直接觀察微觀形貌，使用常規高真空（High vacuum，HV）成像受到限制，應該使用VP（Variable pressure，可變壓力模式）或EP（Extend pressure，擴展壓力模式）成像技術。
VP或EP模式，可以直接觀察不導電材料或動植物樣品。因為樣品室的真空度不太高，仍然有大量的氣體分子存在，入射電子和信號電子把樣品附近的氣體分子，諸如O、N電離，這些離子在附加電場作用下向樣品運動，中和表面積累的電子，消除荷電現象，選用較高的加速電壓仍然可以正常工作。此外，樣品制備簡單，可適合觀察放氣樣品，適合對非導電樣品直接進行成分檢測。
