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分離半導(dǎo)體AEC-Q101認證如何選擇測試項目和條件?

嘉峪檢測網(wǎng)        2022-06-01 23:05

AEC-Q101認證包含了分立半導(dǎo)體元件最低應(yīng)力測試要求的定義和參考測試條件,目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過應(yīng)力測試以及被認為能夠提供某種級別的品質(zhì)和可靠性。根據(jù)AEC-Q101-2021新版規(guī)范,認證測試通用項目大大小小算起來共有37項,但并非所有的測試項目都需要測試,需要依據(jù)不同的器件類型,封裝形式,安裝方式等等來選擇要進行的測試項目。

AEC-Q101標準將試驗項目分為5個大組,以某型號SOT23封裝的MOSFET為例,AECQ101認證應(yīng)選擇哪些測試項目和條件,以及不選擇此項目的原因說明,以下是按組介紹需要測試項目的清單。

 

GroupA

 

Group A加速環(huán)境應(yīng)力試驗共有10個項目,AC高壓和 H3TRB高溫高濕反偏做為可選項可不用進行,PTC功率溫度循環(huán)在IOL間隙壽命不能滿足才做,TCDT溫循分層試驗和TCHT溫循熱試驗不適用在銅線連接的器件上執(zhí)行測試。

 

TEST GROUP A–ACCELERATED ENVIRONMENT STRESS TESTS

序號

編碼

項目

縮寫

條件或說明

1

A1

預(yù)處理

PC

僅在測試A2、A3、A4、A5和C8之前對表面安裝零件(SMD)進行測試

2

A2

高加速應(yīng)力試驗

HAST

條件二選一
  條件一:TA=130℃,85%RH,96H
  條件二:TA=110℃,85%RH,264H。加反向偏置電壓=80%額定電壓,前后都要測試電氣參數(shù)

4

A3

無偏高加速應(yīng)力試驗

UHAST

條件二選一
  條件一:TA=130℃,85%RH,96H
  條件二:TA=110℃,85%RH,264H,前后都要測試電氣參數(shù)    

6

A4

溫度循環(huán)

TC

溫度-55℃~最高額定Tj溫度,不超過150℃,1-3循環(huán)/小時,按組件等級選擇1CPH,1000個循環(huán)。前后都要測試電氣參數(shù),依據(jù)2.4判定

9

A5

間隙工作壽命

IOL

TA=25℃,器件通電保證TJ變化量≥100℃(不超過最大額定值),循環(huán)數(shù)循環(huán)數(shù)=60000/(通電分鐘+斷電分鐘)。前后都要測試電氣參數(shù),依據(jù)2.4判定

 

GroupB

 

Group B加速壽命模擬試驗共有4個項目,ACBV交流阻斷電壓僅適于晶閘管,SSOP穩(wěn)態(tài)運行僅適于TVS二極管。

 

TEST GROUP B–ACCELERATED LIFETIME SIMULATION   TESTS

序號

編碼

項目

縮寫

條件或說明

11

B1

高溫反向偏壓

HTRB

在用戶規(guī)格中最大直流反向額定電壓,通過溫箱調(diào)整結(jié)溫防止失效,保持1000小時,前后都要測試電氣參數(shù)

14

B2

高溫柵偏壓

HTGB

柵級偏置器件關(guān)閉時最大電壓100%,在指定結(jié)溫下(推薦結(jié)溫125℃)1000小時,前后都要測試電氣參數(shù),做5個件的Decap,線拉力。

 

GroupC

 

Group C封裝完整性試驗15個項目,TS端子強度適用于通孔引線器件的引線完整性,RTS耐溶劑性對于激光蝕刻或無標記器件不用進行。CA恒定加速,VVF變頻振動,MS機械沖擊,HER氣密性這四項適用于氣密封裝的器件。

 

TEST GROUP C–PACKAGE ASSEMBLY INTEGRITY TESTS

序號

編碼

項目

縮寫

條件或說明

15

C1

破壞性物理分析

DPA

開封過程確保不會導(dǎo)致引線和鍵的退化

16

C2

物理尺寸

PD

依據(jù)產(chǎn)品規(guī)格書測量封裝物理尺寸

17

C3

邦定線抗拉強度

WBP

條件C和條件D,金線直徑>1mil在TC后最小拉力為3克,金線直徑<1mil,請參閱
MIL-STD-750-2方法2037作為指南
最小拉力強度。金線直徑<1mil,施力點靠近焊點,而不是在線中間。

18

C4

邦定線剪切強度

WBS

銅線剪切參考JESD22-B116

19

C5

芯片剪切力

DS

評估制程變更的穩(wěn)健性,依據(jù)表3的指導(dǎo)進行C5測試

22

C8

耐焊接熱

RSH

SMD部件應(yīng)全部在測試期間被浸沒,根據(jù)MSL進行預(yù)處理等級,前后都要測試電氣參數(shù)

23

C9

熱阻

TR

測量TR以確保符合規(guī)范

24

C10

可焊性

SD

放大50X,參考表2B焊接條件,SMD采用方法B和D

25

C11

晶須生長評價

WG

可商定,溫度沖擊-40~+85℃,1小時2循環(huán),1500循環(huán),試驗后采用SEM進行錫須觀察

 

GroupD

 

Group D模具制造可靠性試驗1個項目

 

TEST GROUP D – DIE FABRICATION RELIABILITY   TESTS

序號

編碼

項目

縮寫

條件或說明

30

D1

介質(zhì)完整性

DI

以1V為增量增加電壓同時監(jiān)控柵極電流,
介電強度定義為柵前的柵電壓讀數(shù),
電流增加了一個數(shù)量級,記錄并報告每個DUT的電壓和電流,評估制程變更的穩(wěn)健性,依據(jù)表3的指導(dǎo)進行D1測試

 

GroupE

 

Group E電氣驗證試驗6個項目。UIS鉗位感應(yīng)開關(guān)僅限功率 MOS半導(dǎo)體和內(nèi)部箝制IGBT,SC短路特性僅適用于智能功率器件。

 

TEST GROUP E – ELECTRICAL VERIFICATION TESTS

序號

編碼

項目

縮寫

條件或說明

31

E0

外觀檢查

EV

所有的樣品都要檢查

32

E1

應(yīng)力測試前后電性能測試

TEST

在室溫下進行

33

E2

參數(shù)驗證

PV

額定溫度驗證參數(shù)

34

E3

ESD HBM

ESDH

前后都要測試電氣參數(shù)

35

E4

ESD CDM

ESDC

前后都要測試電氣參數(shù)

 

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來源:Internet

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