根據電化學理論分析片式膜固定電阻器導電層金屬銀層的腐蝕反應過程及電極電位對膜層腐蝕的機理及影響情況。并結合電阻器實際失效案例，對一只出現阻值增大的電阻器樣品通過掃描電子顯微鏡(SEM)觀察微觀形貌，查找異常物質并通過能譜對異常點進行成分檢測，確定其為硫化銀，進一步了解了電阻器硫化失效的表現形式及產生特點。

片式膜固定電阻器近年來隨著電子產品的小型化以及SMT表面貼裝技術的廣泛應用，逐漸取代插件電阻器成為電路設計中的主要應用電阻類別。其廣泛應用于汽車、航空、航天、船舶等領域中的電子設備，作為基礎元件提高了產品的集成度及可靠性。但是伴隨著片式膜固定電阻器應用范圍的擴展以及應用環境的劣化，片式膜固定電阻器導電層出現了硫化腐蝕而使整機故障的案例，并且此類失效案例逐年增多，已經成為影響片式膜固定電阻器可靠性的重要因素。

貼片式電阻器的硫化失效問題是由于導電層材料接觸外界環境中的腐蝕物而發生電化學腐蝕反應。這一腐蝕反應導致導電功能層失去導電作用，最終使整個片式膜固定電阻器出現阻值異常。本文通過對片式膜固定電阻器硫化失效的電化學機理以及具體失效案例進行深入研究，加加深對片式膜固定電阻器硫化失效機理的了解，保障我國航空航天等應用領域元器件可靠性。

失效樣品分析

01.樣品概況

我國某重點型號電源設備出現一只電阻器失效，其型號尺寸為1608型，阻值為10KΩ。失效電阻器前期通過安裝調試，阻值正常，并且在裝機使用工作數年后，出現了阻值偏離正常阻值精度的情況，導致整機出現故障問題。

02.樣品外觀及阻值測量

電阻器外觀以及阻值進行測量。具體情況如下所述。使用45倍光學顯微鏡觀察電阻器外觀形貌，如圖1所示。

圖1. 45倍光學顯微鏡觀察電阻器外觀形貌

由圖1，電阻器樣品在45倍光學顯微鏡下表面玻璃釉層、電阻器電極部分、陶瓷基板均完整，無燒蝕、斷裂、異物等異常情況，由此排除該只電阻器由機械外力導致電阻體膜層受損而導致阻值失效。

使用Agilent34401A數字多用表測試該只電阻器阻值，測試條件為25℃，濕度40%。電阻器樣品其阻值從標稱阻值10KΩ增大到（110-300）KΩ，阻值增大數十倍，該只電阻器阻值失效。

03.顯微結構及成分分析

1）儀器設備

樣品顯微結構分析如表1所示。

表1 測試儀器和設備

2）分析結果

使用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察失效樣品表面，具體結果如圖2所示。

圖2  5000倍顯微形貌

圖2中，掃描電子顯微鏡（SEM）檢測到電阻器電極與保護玻璃搭接處，在電阻器一端電極處發現了異常物質。該物質凸出于電阻器表面，與正常錫鉛層以及玻璃釉微觀結構不同，結構疏松。

 采用能譜儀對異常物質進行元素檢測，具體測試結果如表2和圖3所示。

表2 異常物質能譜成分檢測

圖3 能譜譜線圖

由表2和圖3可以看到圖2中所出現的異常物質為硫化銀，證明電阻器電極部分出現了硫化腐蝕現象。

片式膜固定電阻器主要的功能層有四個部分。第一個部分為電阻體，提供電阻器的目標阻值，達到電阻功能的作用。第二部分為三層電極結構，第一層為內電極，使用純銀或者銀鈀作為導電層與電阻體搭接，起到連通電阻體與外界線路的作用。片式膜固定電阻器出現硫化腐蝕是內電極層材料銀遭到腐蝕；第二層鎳層，作為阻擋層隔絕外界環境，保護內電極的作用；第三層為焊接錫鉛層，便于錫焊安裝。第三部分為封裝介質層，通常采用保護玻璃釉或者環氧樹脂類作為封裝材料。第四部分載體，采用96%氧化鋁陶瓷基板作為電阻器的載體。

根據對失效的電阻器進行阻值測量，外觀檢查，掃描電鏡顯微形貌觀察以及異常物質元素能譜分析，確認該只失效樣品是由于導電層銀層出現硫化腐蝕，生成結構疏松以及電阻率高的硫化銀，從而導致電阻器出現阻值異常增大的失效案例。

導電銀層硫化腐蝕機理

片式膜固定電阻器導電層硫化腐蝕發生需要根據電阻器應用狀態不同有所區別。即電阻器是否在工作條件其腐蝕機理不同。

01.導電銀層非工作條件腐蝕機理

導電銀層的在非工作應用環境中會發生氧化反應和硫化反應。應用環境中存在的潮濕水汽會造成金屬材料的腐蝕。在濕潤的環境中，HS-一方面可以與氧化后的金屬離子反應，也可以在液膜中生成硫化物。具體反應方程式如（1）所示。

當銀表面有水膜生成時易發生第一個反應，而在濕度較低的大氣環境中第一個反應很難進行，在第二個反應中氧是消耗電子作為陰極存在，隨著硫化物濃度提高而加劇。

大氣環境中還存在較多的SO2氣體，在潮濕空氣中形成H2SO3或者H2SO4，進而與銀發生反應。具體反應方程式如（2）所示。

綜上所述：片式膜固定電阻器內電極銀層暴露在工作環境中非工作條件下，當環境中存在水汽以及H2S或SO2氣體，在金屬表面形成含有硫化物的液膜，造成電阻器的導電層的發生。這一機理可以解釋在海洋環境中電子元器件相比干燥環境下使用的電子元器件更容易發生硫化腐蝕，造成電阻器的失效，降低其使用可靠性的現象。

02.導電銀層工作條件電化學腐蝕機理

片式膜固定電阻器導電層在通電工作條件下相比非工作條件更容易發生硫化腐蝕現象。電阻器在通電過程中，銀原子失去了最外層自由電子，成為銀離子，具體如（3）式所示。

銀原子最外層電子在外界電場的作用下發生了定向移動形成了電流。化學性質穩定的銀原子成為了化學性質不穩定的銀離子。

根據電阻器電極結構，保護鎳層同樣在在外界電場作用下，失去最外層自由電子，形成鎳離子，具體化學反應如（4）所示。

當金屬原子以離子態出現時，需要得到自由電子成為穩定態。根據能斯特方程，金屬在腐蝕發生過程中，標準電極電位的高低決定著金屬離子獲得電子能力的強弱。電極電位越正，氧化能力越強，得到電子的能力越強。

其中電極電位是以標準氫原子作為參比電極，即氫的標準電極電位值為0，其他金屬與氫的標準電極比較，電位較高的為正，電位較低者為負。根據金屬的標準電極電位數據可知，鎳的標準電極電位為-0.250V，銀的標準電極電位為+0.799V。

綜上所述：片式膜固定電阻器內電極銀層暴露在工作環境中非工作條件下，當環境中存在水汽以及H2S或SO2氣體，在金屬表面形成含有硫化物的液膜，造成電阻器的導電層的發生。這一機理可以解釋在海洋環境中電子元器件相比干燥環境下使用的電子元器件更容易發生硫化腐蝕，造成電阻器的失效，降低其使用可靠性的現象。

結  論

片式膜固定電阻器硫化失效問題是近年來在我國航空、航海、汽車等領域出現較多的失效現象。它由于其不可預知性逐漸成為影響片式膜固定電阻器使用可靠性的一個重要因素。

片式膜固定電阻器內電極導電銀層在非工作條件下，當環境中有水汽及硫化物時，腐蝕反應發生。當電阻器在工作條件下，導體材料在應用環境中在電場的作用下失去最外層電子，成為帶有正電荷的金屬離子，同時由于其具有較正的電極電位，獲得電子的能力較強，所以從環境中的硫化物中獲得最外層電子，以達到穩定態，最終形成了高電阻率的化合物，腐蝕反應發生。隨著越來越多的導體層金屬發生腐蝕反應，電阻器中的核心功能層電阻體與外部電路的導通作用消失，宏觀表現為電阻器阻值增大或者開路。