由上式可知,接地阻抗ZCM越大,則引起的傳導(dǎo)EMI噪聲越大。

另外,當(dāng)接地阻抗一定,即共模傳導(dǎo)EMI噪聲源內(nèi)阻抗一定時(shí),電源線對(duì)地之間的負(fù)載阻抗也一定時(shí),浮地與真正的地之間的寄生阻抗也會(huì)引起傳導(dǎo)EMI噪聲。

圖2（b）中，設(shè)UCM為EUT的共模傳導(dǎo)EMI噪聲源,其噪聲源內(nèi)阻抗為ZCM,設(shè)備火線對(duì)地和零線對(duì)地之間的阻抗等效為線路上的負(fù)載阻抗Zload,負(fù)載阻抗上的噪聲電壓Uload即為火線對(duì)地和零線對(duì)地的傳導(dǎo)EMI噪聲。由于接地不良,浮地與真正的地之間存在寄生電容和寄生電感。ZS為包含了寄生電容和寄生電感組成的寄生阻抗,與線路負(fù)載阻抗串聯(lián)形成新的等效負(fù)載阻抗ZL,其上的傳導(dǎo)EMI噪聲為UL,二者之差ΔU，即為因接地不良引起的共模傳導(dǎo)EMI噪聲。如式下式所示：

 醫(yī)療電子設(shè)備中一些搭載高頻時(shí)變信號(hào)的線纜上含有大量的傳導(dǎo)EMI 噪聲,通過(guò)串?dāng)_的方式使得其它線纜上也感應(yīng)出傳導(dǎo)EMI噪聲。尤其是通訊系統(tǒng)的數(shù)字控制線中,搭載著來(lái)自PCB數(shù)字器件上的高頻數(shù)字信號(hào),在其周圍產(chǎn)生射頻電磁場(chǎng),將數(shù)字控制線中的高頻EMI噪聲耦合感應(yīng)至其周圍的線纜上,造成串?dāng)_,在被干擾的線纜上引起傳導(dǎo)EMI 噪聲。

根據(jù)法拉第感應(yīng)定律,串?dāng)_引起的傳導(dǎo)EMI噪聲等效于電感耦合。如圖3所示,假設(shè)線纜1為醫(yī)療電子設(shè)備系統(tǒng)內(nèi)部載有傳導(dǎo)EMI噪聲的線纜,線纜2為設(shè)備火線或零線。V1為線纜1上的傳導(dǎo)EMI噪聲,R1為線纜1與地之間的電阻,VN為線纜2上因串?dāng)_引起的傳導(dǎo)EMI 噪聲,R2為線纜2與地之間的電阻。

假設(shè)線纜2是無(wú)源的閉合環(huán)路,環(huán)路面積為常數(shù),線纜1在線纜2中產(chǎn)生磁通量,其磁通密度隨時(shí)間正弦變化,M為線纜1和線纜2兩個(gè)電路之間的互感,則線纜2上的感應(yīng)傳導(dǎo)EMI噪聲電壓如下式表示，其中ω為角頻率。

 醫(yī)療電子設(shè)備的傳導(dǎo)EMI噪聲測(cè)試頻段為高頻情況,要考慮寄生電容的影響,而線纜間通過(guò)電容耦合也會(huì)引起傳導(dǎo)EMI 噪聲。

如圖4 所示,假設(shè)線纜1為醫(yī)療電子設(shè)備系統(tǒng)內(nèi)部載有傳導(dǎo)EMI 噪聲的線纜,線纜2為設(shè)備火線或零線。線纜1上的傳導(dǎo)EMI噪聲通過(guò)電壓源V1表示,C1G是線纜1與地之間的電容,C12是線纜間的寄生電容,C2G是線纜2與地之間的電容,R為電路2與地之間的電阻,VN是線纜2上通過(guò)電容耦合引起的傳導(dǎo)EMI噪聲。根據(jù)等效電路圖，可求得因電容耦合在線纜2上引起的與地之間的傳導(dǎo)EMI噪聲電壓VN ,計(jì)算方法如下式所示：

圖：公式四

由式(1)和式(2)可知,接地不良會(huì)引起過(guò)量的傳導(dǎo)EMI噪聲,因此,在設(shè)計(jì)接地系統(tǒng)時(shí),須加強(qiáng)接地,將接地阻抗減到最小,同時(shí)減小浮地與真正的地之間的寄生阻抗。如果設(shè)備制造商出于成本考慮,不愿意重新設(shè)計(jì)PCB電路,還可以通過(guò)共模扼流圈與電容組合成濾波器來(lái)抑制接地不良引起的共模傳導(dǎo)EMI噪聲。

由式(3)可知,串?dāng)_引起的傳導(dǎo)EMI噪聲與線纜間的互感M和噪聲源線纜上的噪聲電流I1成正比,因此,可以通過(guò)減小互感M和噪聲電流I1抑制傳導(dǎo)EMI噪聲。M由幾何形狀和線纜間的媒介磁特性決定,采用雙絞線可有效減小耦合。在系統(tǒng)線纜上卡磁環(huán)、在線纜兩端對(duì)地并電容可減小噪聲電流。由式(4)可知,電容耦合引起的傳導(dǎo)EMI噪聲與線纜間的互電容及噪聲源線纜上的噪聲電壓成正比。因此,可通過(guò)增加線纜間距、屏蔽線纜的方式減小電容耦合。