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JACS:1T’相ReS2xSe2(1-x)(x=0-1)納米點的制備、及其高效電催化氫析

嘉峪檢測網        2018-07-05 09:14

【引言】

 

氫氣雖然是清潔能,但是可靠的析氫反應(HER)需要穩定、高效的催化劑。析氫反應(HER)的高效電催化劑的合理設計和合成,對于實現可持續的氫經濟至關重要。近年來,人們致力于探索具有低過電位和高水分解效率的電催化劑,發現MoS2等分層過渡金屬二硫族化合物(TMD)納米材料具有替代商業鉑基的催化劑的潛能。最近,在2H-相TMD納米材料的邊緣發現了電催化HER的活性位點,因此TMD納米材料的小尺寸可以暴露更多活性位點。另外,TMD納米材料的晶體結構也能促進其催化活性。在此基礎上,本文通過結合化學氣相傳輸(CVT)和化學嵌入Li的方法,發現了一種新1T'相ReS2xSe2(1-x)(x=0-1)納米點催化劑,具有最高的析氫活性,適用于大規模生產。

 

【成果簡介】

 

近日,新加坡南洋理工大學的張華新加坡科技研究局Yonghua Du(共同通訊)作者等人,結合化學氣相傳輸和Li插層,制備了一系列1T'相ReS2xSe2(1-x)(x=0-1)納米點,可以在酸性介質中實現高性能HER。其中,1T'相ReSSe納米點,表現出最高的析氫活性,Tafel斜率為50.1 mV dec-1,在10 mA cm-2的電流密度下,具有84 mV的低過電位。原因是高度不對稱的1T'晶體結構中,不對稱S空位導致活性位點具有最佳氫吸收能量。相關成果以“Preparation of 1T′-Phase ReS2xSe2(1-x)(x=0-1) Nanodots for Highly Efficient Electrocatalytic Hydrogen Evolution Reaction”為題發表在Journal of the American Chemical Society上。

 

【圖文導讀】

 

圖 1 ReSSe ND的合成過程和表征圖

 

 

JACS:1T’相ReS2xSe2(1-x)(x=0-1)納米點的制備、及其高效電催化氫析

 

(a)ReESe模擬結構和ReESe ND合成過程示意圖;

(b)ReSSe ND的低倍TEM圖像(插圖:ReSSe ND的尺寸分布);

(c)ReSSe ND的HRTEM圖像。;

(d)單個ReSSe ND的HRTEM圖像;

(e)單個ReSSe納米點的HAADF-STEM圖像;

(f)ReSSe ND的EDS譜圖;

(g)ReESe ND稀釋溶液的紫外可見光譜(插入:ReSeND溶液的光學照片);

(h)ReSSe ND的AFM圖像;

(i)AFM圖中110 ReSSe ND高度統計圖。

 

圖 2 ReSSe晶體和NDs的XPS和XANES譜圖

JACS:1T’相ReS2xSe2(1-x)(x=0-1)納米點的制備、及其高效電催化氫析

 

(a)ReSSe晶體和NDs中,Re 4f的XPS譜圖;

(b)ReSSe晶體和NDs中,S 2p和Se 3p的XPS譜圖;

(c)ReSSe晶體和NDs的XANES譜圖;

(d)ReSSe晶體和ND的Re L3-邊緣,EXAFS光譜的傅立葉變換k3加權χ(k)函數圖。

 

圖 3 ReSSe ND的電催化HER性能圖

JACS:1T’相ReS2xSe2(1-x)(x=0-1)納米點的制備、及其高效電催化氫析

 

(a)在0.5 M H2SO4水溶液中,Pt/C,ReSSe塊體和ReS2,ReSSe和ReSe2 ND的極化曲線圖;

(b)是(a)中催化劑的Tafel斜率圖;

(c)ReSSe塊體,ReS2 NDs,ReSSe NDs,ReSe2 NDs的Nyquist圖(插圖:(左下)對應的擬合等效電路,(右上)用紅色虛線正方形表示的區域的放大圖);

(d)在0.5 M H2SO4水溶液中,ReSSe ND的20000次電勢循環前后的極化曲線對比圖。

 

圖 4 ReS2,ReS2和ReESe中,不同類型S/Se空位的理論計算結果

JACS:1T’相ReS2xSe2(1-x)(x=0-1)納米點的制備、及其高效電催化氫析

 

(a)用ReS2邊緣,ReSe2邊緣,ReSSe邊緣,ReS2 LS-V,ReSe2 LSe-V和ReSSe LS-V結合的H原子的示意圖;

(b)1T'-ReS2,1T'-ReSe2和1T'-ReSSe NDs邊緣位點和空位點的計算自由能(ΔGH*)與HER的反應位點關系圖。

【小結】

 

本文采用CVT與化學Li嵌入相結的方法,采用ReS2,ReS1.8Se0.2,ReS1粉末,制備超小的1T'-ReS2xSe21-x ND。微調ReS2xSe21-x塊狀晶體的化學組成,獲得具有高密度活性邊緣位點和活性低位點S空位的1T'-ReSSe ND,其能夠增強HER的電催化活性。在10 mA cm-2的電流密度下,ReSe2NDs具有低過電位84 mV,Tafel斜率為50.1 mV dec-1,并具有出色的長期耐用性。這項工作可能為原子水平上,合理設計和合成具有不對稱結構的高效1T'相TMD催化劑,開辟了一條新途徑。

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來源:材料人

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