多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金屬光澤，密度2.32~2.34g/cm3。熔點(diǎn)1410℃。沸點(diǎn)2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。

與冶金級硅材料相比，用于太陽能行業(yè)的多晶硅具有顯著更高的純度，通常為99.999％或以上的純度。殘留物是雜質(zhì)，如C，O和微量元素，如Fe，Cu，Ni等。痕量污染物的數(shù)量取決于制造商、過程以及有時生產(chǎn)批次。

雖然少于0.001％或10ppm，但多晶硅中痕量污染物的量和組成對光伏器件具有深遠(yuǎn)影響。與半導(dǎo)體行業(yè)類似，金屬污染控制是提高器件產(chǎn)量和可靠性的關(guān)鍵過程之一，減少太陽能光伏電池中的金屬污染使電池效率更高和更長的設(shè)備壽命。

多晶硅微量元素測試方法

多晶硅的痕量金屬分析包括將多晶硅基質(zhì)溶解在混合酸中，然后消化以除去硅基質(zhì)。然后通過電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）分析制備的溶液。重新計(jì)算結(jié)果以獲得固體多晶硅樣品中的痕量金屬濃度。

對于多晶硅塊體中的痕量元素，方法檢測限為每克硅（0.01 g / g-g-Si或ppbw）0.01至0.1納克，用于高純度硅測試。檢測限在0.2 ppbw范圍內(nèi)的方法作為較低成本的替代方案提供。

根據(jù)超過30個單獨(dú)試驗(yàn)，30種元素的平均加標(biāo)回收率在82％到106％之間。

我們還根據(jù)ASTM F1724-96 / SEMI MF1724-1104方法提供了多晶硅樣品表面痕量金屬的測試。在該方法中，使用電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）和/或電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-AES）來確定溶液中元素的濃度而不是石墨爐原子吸收光譜法（GF-AAS）。提取條件如酸濃度，提取時間，提取溫度可以變化以滿足客戶的目標(biāo)。對于表面痕量元素分析，可以實(shí)現(xiàn)與批量分析相同的方法檢測限。

多晶硅檢測標(biāo)準(zhǔn)匯總