半導體集成電路MOS隨機存儲器中輸出高電平電壓VOH的檢測

檢測項：輸出高電平電壓VOH 檢測樣品：半導體集成電路MOS隨機存儲器 標準：半導體器件集成電路 第2部分：數字集成電路第Ⅳ篇 GB/T17574-1998 第2節第1條

檢測機構：國家電子電器產品檢測中心 更多相關信息>>

上海精密計量測試研究所

檢測項：采樣-保持失調電壓VOS 檢測樣品：半導體集成電路MOS隨機存儲器 標準：SJ/T10739-1996 半導體集成電路MOS隨機存儲器測試方法的基本原理

檢測項：輸出高電平電壓VOH 檢測樣品：半導體集成電路MOS隨機存儲器 標準：SJ/T10739-1996 半導體集成電路MOS隨機存儲器測試方法的基本原理

檢測項：輸出低電平電壓VOL 檢測樣品：半導體集成電路MOS隨機存儲器 標準：SJ/T10739-1996 半導體集成電路MOS隨機存儲器測試方法的基本原理

機構所在地：上海市 更多相關信息>>

湖北航天技術研究院計量測試技術研究所

檢測項：靜態參數 檢測樣品：MOS隨機存儲器 標準：半導體集成電路MOS隨機存儲器測試方法的基本原理 SJ/T 10739-1996

檢測項：動態參數 檢測樣品：MOS隨機存儲器 標準：半導體集成電路MOS隨機存儲器測試方法的基本原理 SJ/T 10739-1996

檢測項：功能 檢測樣品：MOS隨機存儲器 標準：半導體集成電路MOS隨機存儲器測試方法的基本原理 SJ/T 10739-1996

機構所在地：湖北省孝感市 更多相關信息>>

貴州航天計量測試技術研究所

檢測項：輸出高電平電壓VOH 檢測樣品：存儲器 標準：《半導體集成電路MOS隨機存儲器測試方法的基本原理》SJ/T 10739-1996

機構所在地：貴州省貴陽市 更多相關信息>>

北京尊冠科技有限公司

檢測項：功能測試棋盤格 檢測樣品：半導體集成電路MOS隨機存儲器 標準：GB/T 17574－1998《半導體集成電路 第 2 部分 數字集成電路》

檢測項：功能測試步進 檢測樣品：半導體集成電路MOS隨機存儲器 標準：GB/T 17574－1998《半導體集成電路 第 2 部分 數字集成電路》

檢測項：導通電阻路差ΔRON 檢測樣品：半導體集成電路MOS隨機存儲器 標準：GB/T 17574－1998《半導體集成電路 第 2 部分 數字集成電路》

機構所在地：北京市 更多相關信息>>

中國船舶重工集團第七0九研究所微電子測試校準實驗室

檢測項：輸入高電平 檢測樣品：集成電路 標準：半導體集成電路TTL電路測試方法的基本原理SJ/T10735-1996 半導體集成電路MOS隨機存儲器測試方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半導體集成電路雙極型隨機存儲器測試方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半導體集成電路CM

檢測項：輸入高電平 檢測樣品：集成電路 標準：半導體集成電路TTL電路測試方法的基本原理SJ/T10735-1996 半導體集成電路MOS隨機存儲器測試方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半導體集成電路雙極型隨機存儲器測試方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半導體集成電路CM

檢測項：輸入箝位電壓 檢測樣品：集成電路 標準：半導體集成電路TTL電路測試方法的基本原理SJ/T10735-1996 半導體集成電路MOS隨機存儲器測試方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半導體集成電路雙極型隨機存儲器測試方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半導體集成電路CM

機構所在地：湖北省武漢市 更多相關信息>>