芯片鍵合，作為切割工藝的后道工序，是將芯片固定到基板（substrate）上的一道工藝。引線鍵合（wire bonding）則作為芯片鍵合的下道工序，是確保電信號傳輸?shù)囊粋€過程。wire bonding是最常見一種鍵合方式。
Gold Bonding Wire: 半導體鍵合金線/金絲
用于半導體封裝工藝中的芯片鍵合。
Wire Bond/金線鍵合： 指在對芯片和基板間的膠粘劑處理以使其有更好的粘結(jié)性能后,用高純金線把芯片的接口和基板的接口鍵合。
成分為金（純度為99.999%），摻雜銀、鈀、鎂、鐵、銅、硅等元素。
摻雜不同的元素可以改變金線的硬度、剛性、延展度、電導率等參數(shù)。
一、 目的：建立基本的 wire bonding 標準，制定生產(chǎn)過程中產(chǎn)品合格／不合格的判斷標準。
二、 范圍：本標準只適用于金線球焊工藝。
三、 基本焊接條件：熱壓超聲波焊接用于金線鍵合，所需的溫度、壓力、超聲波功率及時間視不同機型、不同材料有很大不同，具體根據(jù)機型、材料特性科學設(shè)定。
四、 品質(zhì)判斷標準：
1） 球形標準，如下圖所示：
① 球的直徑：以2.5φ-3.5φ為標準 ，低于2.5φ為球小，大于3.5φ為球大。
② 球的厚度：以0.5φ-1.5φ為標準，低于0.5φ為球扁，大于1.5φ為球厚。
③ 球畸形：焊線偏離焊球中心超過1/2φ為球畸形。
注：以上φ為金線直徑，以下類同。
線形標準：
① 線形不良：線擺動以≤3φ、S 形≤2φ為標準，超過此標準為線形不良。線形擺動如下圖所示
② 線受損：以≤1/4φ為標準，超過1/4φ為線受損不可接受。
③ 弧形標準：晶粒邊距金線垂直距離至少1.5φ，少于1.5φ為線低；晶粒面距線形最高不超過 200um，如下圖所示。
④ 跪線：如下圖所示，圓圈處所指的金線貼在焊接表面上為跪線，不可接受。標準線形為圓圈處所指的金線與焊接表面應(yīng)有一定角度。
3） 焊口標準：
① 焊口：長為0.8φ—1.5φ，寬為1.5φ—2.5φ，且瓷咀印必須完整，超出此規(guī)格范圍為不可接受，如下圖所示：
② 線尾：線尾長度必須≤1φ，大于1φ時為線尾長，不可接受。跪線 length：0.8φ—1.5φ width：1.5φ—2.5φ 瓷咀印
③ 虛焊、脫焊：焊球與Die面接觸，焊口與Frame 表面接觸，拉力測試為0時為虛焊；焊球或焊口中有一個不與焊接表面接觸時為脫焊。如下圖所示
4) 位置標準：
① 走位：球走位：焊球須在IC pad位置內(nèi)或恰好壓在 Pad 邊上，超出pad位置為球走位。焊口走位：焊點須在PCB金手指內(nèi)，焊口離金手指邊至少 1φ。超出金手指 為焊口走位。
② 漏線：應(yīng)焊線的位置沒有焊線。
③ 焊錯位：金線沒有焊在指定 Pad 上而是焊在別的 Pad 上。
5） 拉力及推球標準：
① 拉力測試方法：拉力測試時以靠近焊球金線弧形最高處為基準，如下圖所示：
金線拉力管制，如下表：
備注：23、23J 為同一直徑的金線，對 SOT-54、SOT-23 產(chǎn)品 Wire bonding 時有兩個引線方向，方向不同金線的管制拉力不同，用J來區(qū)分，其余類同。
③ 推球不良：推球時使用推球機做推力實驗，推球力至少16g以上，金線在pad上殘留量≥60%，不滿足此規(guī)格為推球不良。
