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T形含銅宮內(nèi)節(jié)育器產(chǎn)品描述:通常由銅以及支架材料組成,支架材料一般由硅橡膠、尼龍、聚乙烯、聚丙烯、不銹鋼或記憶合金材料制成。外形有圓形、T形、V形、γ形及鏈條狀等。無菌提供。 T形含銅宮內(nèi)節(jié)育器預(yù)期用途:用于放置于婦女子宮腔內(nèi)起避孕作用。 T形含銅宮內(nèi)節(jié)育器品名舉例:T形含銅宮內(nèi)節(jié)育器、O形含銅宮內(nèi)節(jié)育器、V形含銅宮內(nèi)節(jié)育器、宮腔形含銅宮內(nèi)節(jié)育器、固定式含銅宮內(nèi)節(jié)育器...查看詳情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年06月27日
檢測項:重量 檢測樣品:通信用閥控式密封鉛布蓄電池 標(biāo)準(zhǔn):YD/T 1715-2007 通信用閥控式密封鉛布蓄電池 GB/T19638.2-2005固定型閥控密封式鉛酸蓄電池
機(jī)構(gòu)所在地:湖北省武漢市
機(jī)構(gòu)所在地:重慶市
機(jī)構(gòu)所在地:重慶市
檢測項:布氏硬度 檢測樣品:鋁及鋁合金制品 標(biāo)準(zhǔn):《金屬材料 布氏硬度試驗 第1部分:試驗方法》 GB/T 231.1-2009
機(jī)構(gòu)所在地:重慶市
檢測項:布氏硬度 檢測樣品:金屬材料,合金及制品 標(biāo)準(zhǔn):金屬材料布氏硬度試驗方法 ASTM E10-2012
檢測項:III-V族雜質(zhì)含量 檢測樣品:晶體硅 標(biāo)準(zhǔn):《半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法》 GB/T 6616-2009
檢測項:III-V族雜質(zhì)含量 檢測樣品:晶體硅 標(biāo)準(zhǔn):《低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測試方法》 GB/T 24581-2009
機(jī)構(gòu)所在地:江蘇省連云港市