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針入度(Needlepenetration) 針入度是以標(biāo)準(zhǔn)針在一定的荷重、時間及溫度條件下垂直穿入瀝青試樣的深度來表示，單位為1／10mm。非經(jīng)另行規(guī)定，標(biāo)準(zhǔn)針、針連桿與附加砝碼的合重為100±0.1g，溫度25℃，時間為5s。針入度愈大表示愈軟，即稠度愈小；反之則表示愈硬，即稠度愈大。 針入度 測試儀器：針入度電腦式、針入...查看詳情>>
針入度(Needlepenetration)
針入度是以標(biāo)準(zhǔn)針在一定的荷重、時間及溫度條件下垂直穿入瀝青試樣的深度來表示，單位為1／10mm。非經(jīng)另行規(guī)定，標(biāo)準(zhǔn)針、針連桿與附加砝碼的合重為100±0.1g，溫度25℃，時間為5s。針入度愈大表示愈軟，即稠度愈小；反之則表示愈硬，即稠度愈大。
針入度測試儀器：針入度電腦式、針入度數(shù)顯式
收起百科↑ 最近更新：2017年03月21日
機(jī)構(gòu)所在地：廣東省東莞市
檢測項(xiàng)：輸出短路電流IOS 檢測樣品：TTL電路 標(biāo)準(zhǔn)：《半導(dǎo)體集成電路TTL 電路測試方法的基本原理》SJ/T 10735-1996
機(jī)構(gòu)所在地：貴州省貴陽市
檢測項(xiàng)：輸出短路電流IOS 檢測樣品：半導(dǎo)體集成電路TTL電路 標(biāo)準(zhǔn)：SJ/T10735-1996 半導(dǎo)體集成電路TTL電路測試方法的基本原理
檢測項(xiàng)：輸出電流IO 檢測樣品：DC/DC模塊 標(biāo)準(zhǔn)：SJ20646-1997 混合集成電路DC/DC變換器測試方法
檢測項(xiàng)：輸入失調(diào)電流Ios 檢測樣品：模擬乘法器 標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 14029-1992 半導(dǎo)體集成電路模擬乘法器測試方法的基本原理
機(jī)構(gòu)所在地：上海市
檢測項(xiàng)：輸出短路電流IOS 檢測樣品：ECL電路 標(biāo)準(zhǔn)：SJ/T10737-1996《半導(dǎo)體集成電路ECL電路測試方法的基本原理》
檢測項(xiàng)：輸出電流IO 檢測樣品：DC／DC變換器 標(biāo)準(zhǔn)：SJ 20646-1997《混合集成電路DC／DC變換器測試方法》
機(jī)構(gòu)所在地：湖北省武漢市
檢測項(xiàng)：輸出短路電流Ios 檢測樣品：半導(dǎo)體集成 電路 (CMOS) 標(biāo)準(zhǔn)：微電子器件試驗(yàn)方法和程序GJB548B-2005
機(jī)構(gòu)所在地：北京市
檢測項(xiàng)：輸出電流IO 檢測樣品：DC/DC轉(zhuǎn)換器 標(biāo)準(zhǔn)：SJ 20646-1997 混合集成電路DC/DC變換器測試方法
機(jī)構(gòu)所在地：河南省洛陽市
檢測項(xiàng)：沉降體積比 檢測樣品：藥品 標(biāo)準(zhǔn)：《中國藥典》2010年版二部附錄I G；ＩＯ；ＩＱ；I R；
機(jī)構(gòu)所在地：黑龍江省哈爾濱市
檢測項(xiàng)：輸出短路電流IOS 檢測樣品：半導(dǎo)體集成電路TTL電路 標(biāo)準(zhǔn)：SJ/T10735-1996 半導(dǎo)體集成電路TTL電路測試方法的基本原理
檢測項(xiàng)：輸出電流IO 檢測樣品：集成電路篩選 標(biāo)準(zhǔn)：微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548B-2005
檢測項(xiàng)：輸出短路電流IOS 檢測樣品：半導(dǎo)體集成電路TTL電路 標(biāo)準(zhǔn)：SJ/T10735-1996 半導(dǎo)體集成電路TTL電路測試方法的基本原理
機(jī)構(gòu)所在地：湖南省長沙市
檢測項(xiàng)：輸出短路電流IOS 檢測樣品：半導(dǎo)體 集成電路TTL電路 標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路TTL電路測試方法的基本原理SJ/T10735-1996
檢測項(xiàng)：過流保護(hù)門限電流 檢測樣品：車載穩(wěn)壓電源 標(biāo)準(zhǔn)：GJB3836—99車載穩(wěn)壓電源通用規(guī)范
機(jī)構(gòu)所在地：河南省鄭州市
機(jī)構(gòu)所在地：河北省石家莊市
