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口咽/鼻咽通氣道產(chǎn)品描述:通常由高分子材料制成,是一種帶有凸緣末端的管狀器械。可以無菌提供。 預(yù)期用途:用于為因舌后墜引起氣道阻塞的患者建立口/鼻咽通氣道。 品名舉例:口咽通氣道、鼻咽通氣道 管理類別:Ⅱ 口咽/鼻咽通氣道相關(guān)檢測項(xiàng)目: 1 . 規(guī)格標(biāo)識 《麻醉和呼吸設(shè)備:口咽通氣道 ISO 5364:200...查看詳情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年03月22日
檢測項(xiàng):電源電壓抑制比 檢測樣品:時(shí)基電路 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測試方法的基本原理 GB/T14030-1992
檢測項(xiàng):共模抑制比 檢測樣品:半導(dǎo)體集成電路電壓比較器 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2000
機(jī)構(gòu)所在地:重慶市
檢測項(xiàng):電源電壓抑制比 檢測樣品:時(shí)基電路 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測試方法的基本原理 GB/T 14030-1992
檢測項(xiàng):電源電壓抑制比 檢測樣品:電子元器件 標(biāo)準(zhǔn):微電路試驗(yàn)方法和程序GJB 548B-2005
檢測項(xiàng):共模抑制比 檢測樣品:時(shí)基電路 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測試方法的基本原理 GB/T 14030-1992
機(jī)構(gòu)所在地:四川省成都市
檢測項(xiàng):電源電壓抑制比 檢測樣品:時(shí)基電路 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2000
檢測項(xiàng):電源電壓抑制比 檢測樣品:CMOS集成電路 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路 GB/T 17940-2000
檢測項(xiàng):電源電壓抑制比 檢測樣品:RF器件 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路 GB/T 17940-2000
機(jī)構(gòu)所在地:上海市
檢測項(xiàng):輸出共模 抑制比 檢測樣品:TTL電路 標(biāo)準(zhǔn):SJ/T 10735-1996 半導(dǎo)體集成電路TTL電路測試方法的基本原理
檢測項(xiàng):電源電壓 抑制比 檢測樣品:TTL電路 標(biāo)準(zhǔn):SJ/T 10735-1996 半導(dǎo)體集成電路TTL電路測試方法的基本原理
機(jī)構(gòu)所在地:云南省昆明市
檢測項(xiàng):電源電壓抑制比 檢測樣品:電壓比較器 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路電壓比較器 測試方法的基本原理 GB/T6798-1996
檢測項(xiàng):電源電壓抑制比 檢測樣品:時(shí)基電路 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路 測試方法的基本原理 GB/T14030-1992
檢測項(xiàng):紋波抑制比 檢測樣品:電壓調(diào)整器 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法的基本原理 GB/T4377-1996 第
機(jī)構(gòu)所在地:重慶市
機(jī)構(gòu)所在地:河南省洛陽市
檢測項(xiàng):電源電壓抑制比 檢測樣品:數(shù)字集成 電路 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理 SJ/10741-2000
檢測項(xiàng):共模抑制比 檢測樣品:數(shù)字集成 電路 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理 SJ/10741-2000
檢測項(xiàng):共發(fā)射正向電流傳輸比 檢測樣品:雙極型 晶體管 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體器件分立器第7部分雙極型晶體管 GB/T4587-1994
機(jī)構(gòu)所在地:甘肅省蘭州市
檢測項(xiàng):電源電壓抑制比 檢測樣品:模擬集成電路 標(biāo)準(zhǔn):《半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范》GJB597A-1996
檢測項(xiàng):紋波抑制比 檢測樣品:晶體 三極管 標(biāo)準(zhǔn):《半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙極型晶體管》 GB/T 4587-1994
檢測項(xiàng):共模抑制比 檢測樣品:模擬集成電路 標(biāo)準(zhǔn):《半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范》GJB597A-1996
機(jī)構(gòu)所在地:上海市
檢測項(xiàng):比總損耗 檢測樣品:電工鋼片(帶) 標(biāo)準(zhǔn):用愛潑斯坦方圈測量電工鋼片(帶)磁性能的方法 GB/T 3655-2008
機(jī)構(gòu)所在地:浙江省杭州市
檢測項(xiàng):電源電壓抑制比KSVR 檢測樣品:電壓比較器 標(biāo)準(zhǔn):GB/T 6798-1996《半導(dǎo)體集成電路 電壓比較器測試方法的基本原理》
機(jī)構(gòu)所在地:北京市