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無菌負壓吸引裝置產品描述: 通常由器身、彈簧、調節器組、連接接頭、連接管、止流夾、護帽、引流袋、負壓泵或手動負壓源(負壓球)組成。無菌提供。不包括插入體內的引流導管。 無菌負壓吸引裝置預期用途: 用于臨床負壓引流時,與插入體內的引流導管相連接,起到充當負壓傳導介質和/或引導、收集引流液的作用。 無菌負壓吸引裝置品名舉例: 無菌負壓吸引裝置、無菌高負壓引流瓶、無菌...查看詳情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年04月12日
檢測項:電性能 檢測樣品:電玩具 標準:供兒童使用的電動玩具或其他電動物品的要求 16 CFR 1505 (2011)
檢測項:電性能 檢測樣品:電玩具 標準:電玩具的安全 GB 19865-2005
檢測項:電性能 檢測樣品:電玩具 標準:標準消費者安全規範: 玩具安全 ASTM F963 – 08
機構所在地: 更多相關信息>>
檢測項:能效 檢測樣品:普通照明用自鎮流熒光燈 標準:普通照明用自鎮流熒光燈 能效限定值及能效等級 GB 19044-2003
檢測項:性能要求 檢測樣品:普通照明用自鎮流熒光燈 標準:普通照明用自鎮流熒光燈 性能要求 IEC 60969:1988+A1:1991+ A2:2000 GB/T 17263-2002
檢測項:諧波電流 檢測樣品: 標準:低壓電氣及電子設備發出的諧波電流限值(設備每相輸入電流≤16A) GB 17625.1-2003 IEC 61000-3-2:2005
機構所在地:浙江省臨安市 更多相關信息>>
檢測項:絕緣電阻 檢測樣品:電線電纜 標準:《電線電纜電性能試驗方法 .第5部分 絕緣電阻試驗》GB/T3048.5-2007
機構所在地:河南省鄭州市 更多相關信息>>
檢測項:阻性電流測量誤差 檢測樣品:氧化鋅避雷器測試儀 標準:《氧化鋅避雷器阻性電流測試儀通用技術條件》 DL/T987-2005
檢測項:電容分壓器放電試驗 檢測樣品:氧化鋅避雷器測試儀 標準:《氧化鋅避雷器阻性電流測試儀通用技術條件》 DL/T987-2005
檢測項:保護性能試驗 檢測樣品:氧化鋅避雷器測試儀 標準:《氧化鋅避雷器阻性電流測試儀通用技術條件》 DL/T987-2005
機構所在地:湖北省武漢市 更多相關信息>>
檢測項:輸出高阻態時高電平電流 檢測樣品:半導體集成電路CMOS電路 標準:微電子器件試驗方法和程序GJB548B-2005
檢測項:輸出高阻態時低電平電流 檢測樣品:半導體集成電路CMOS電路 標準:微電子器件試驗方法和程序GJB548B-2005
機構所在地:陜西省西安市 更多相關信息>>
檢測項:輸出高阻態時高電平電流 檢測樣品:ECL電路 標準:半導體集成電路ECL電路 測試方法的基本原理 SJ/T 10737-1996
檢測項:輸出高阻態時低電平電流 檢測樣品:電壓調整器 標準:半導體集成電路電壓調整器測試方法的基本原理 GB/T 4377-1996
檢測項:輸出高阻態時高電平電流 檢測樣品:TTL電路 標準:半導體集成電路TTL電路 測試方法的基本原理 SJ/T 10735-1996
檢測項:**部分項目 檢測樣品:交流電力系統線路阻波器 標準:JB/T 10431-2004 高燃點絕緣油電力變壓器
檢測項:*全部項目 檢測樣品:集合式高電壓并聯電容器 標準:JB/T 7112-2000 集合式高電壓并聯電容器
檢測項:*全部項目 檢測樣品:集合式高電壓并聯電容器 標準:DL/T 628-1997 集合式高電壓并聯電容器訂貨技術條件
檢測項:高阻漏電試驗 檢測樣品:接地故障電路斷路器 標準:接地故障電路斷路器 UL943:2012
檢測項:高阻漏電試驗 檢測樣品:器具漏電斷路器 標準:器具漏電斷路器 UL943B:2011
機構所在地:廣東省東莞市 更多相關信息>>
檢測項:輸出高阻態時高電平電流IOZH 檢測樣品:TTL電路 標準:《半導體集成電路TTL 電路測試方法的基本原理》SJ/T 10735-1996
檢測項:輸出高阻態時低電平電流IOZL 檢測樣品:TTL電路 標準:《半導體集成電路TTL 電路測試方法的基本原理》SJ/T 10735-1996
檢測項:輸出高阻態時高電平電流IOZH 檢測樣品:運算放大器 標準:《半導休集成電路運算(電壓)放大器測試方法的基本原理》SJ/T 10738-1996
機構所在地:貴州省貴陽市 更多相關信息>>
檢測項:輸出高阻態時高電平電流IOZH 檢測樣品:半導體集成電路TTL電路 標準:SJ/T10735-1996 半導體集成電路TTL電路測試方法的基本原理
檢測項:輸出高阻態時低電平電流IOZL 檢測樣品:半導體集成電路TTL電路 標準:SJ/T10735-1996 半導體集成電路TTL電路測試方法的基本原理
檢測項:輸出高阻態時高電平電流IOZH 檢測樣品:半導體集成電路CMOS電路 標準:SJ/T10741-2000 半導體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理
機構所在地:上海市 更多相關信息>>
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