樣品名稱：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體

檢測項(xiàng)目：I2t特性和過電流選擇性驗(yàn)證

認(rèn)可資質(zhì)：其它

檢測標(biāo)準(zhǔn)：GB/T13539.4-20168.7 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

服務(wù)地點(diǎn)：全國

適用范圍：電子電氣

標(biāo)簽： 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體 I2t特性和過電流選擇性驗(yàn)證 GB/T13539.4-20168.7 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求