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檢測項:硅片直徑測量 檢測樣品:微電子材料 標準:GB/T14140-2009 硅片直徑測量方法
檢測機構:國家材料分析檢測中心 更多相關信息>>
檢測項:氧含量 檢測樣品:光伏硅片 標準:硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 GB/T 1557-2018
檢測機構:國家電子電器產品檢測中心 更多相關信息>>
檢測項:電阻率 (電阻系數) 檢測樣品:半導體材料 標準:硅片電阻率測定 擴展電阻探針法 GB/T 6617-2009
機構所在地:北京市 更多相關信息>>
檢測項:III-V族雜質含量 檢測樣品:晶體硅 標準:《半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法》 GB/T 6616-2009
檢測項:直徑及允許偏差 檢測樣品:晶體硅 標準:《硅片直徑測量方法》 GB/T 14140-2009
檢測項:徑向電阻率變化測量 檢測樣品:晶體硅 標準:《硅片徑向電阻率變化的測量方法》 GB/T 11073-2007
機構所在地:江蘇省連云港市 更多相關信息>>
檢測項:氧含量 檢測樣品:硅片 標準:《硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法》GB/T 1557-2006
檢測項:碳含量 檢測樣品:硅片 標準:《硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法》GB/T 1558-2009
檢測項:電阻率 檢測樣品:硅片 標準:《硅單晶電阻率測定方法》GB/T 1551-2009
機構所在地:浙江省衢州市 更多相關信息>>
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